Transistor a canale N IRFRC20, 1.3A, 2A, 500uA, 4.4 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 600V. ID (T=100°C): 1.3A. ID (T=25°C): 2A. Idss (massimo): 500uA. Rds sulla resistenza attiva: 4.4 Ohms. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Voltaggio Vds(max): 600V. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). C(in): 350pF. Costo): 48pF. Diodo Trr (min.): 290 ns. Funzione: commutazione ad alta velocità. ID (min): 100uA. Id(imp): 8A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 42W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Td(acceso): 10 ns. Td(spento): 30 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Prodotto originale del produttore: International Rectifier. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 02:45