Transistor a canale N IRFUC20, 1.2A, 2A, 500uA, 4.4 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 600V

Transistor a canale N IRFUC20, 1.2A, 2A, 500uA, 4.4 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 600V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
0.94fr
5-24
0.79fr
25-49
0.70fr
50-99
0.62fr
100+
0.50fr
Equivalenza disponibile
Quantità in magazzino: 96

Transistor a canale N IRFUC20, 1.2A, 2A, 500uA, 4.4 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 600V. ID (T=100°C): 1.2A. ID (T=25°C): 2A. Idss (massimo): 500uA. Rds sulla resistenza attiva: 4.4 Ohms. Alloggiamento: TO-251 ( I-Pak ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-251AA ( I-PAK ). Voltaggio Vds(max): 600V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 350pF. Costo): 48pF. Funzione: commutazione ad alta velocità. ID (min): 100uA. Id(imp): 8A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 42W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Td(acceso): 10 ns. Td(spento): 30 ns. Tecnologia: V-MOS. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Prodotto originale del produttore: International Rectifier. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 21:11

Documentazione tecnica (PDF)
IRFUC20
26 parametri
ID (T=100°C)
1.2A
ID (T=25°C)
2A
Idss (massimo)
500uA
Rds sulla resistenza attiva
4.4 Ohms
Alloggiamento
TO-251 ( I-Pak )
Custodia (secondo scheda tecnica)
TO-251AA ( I-PAK )
Voltaggio Vds(max)
600V
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
C(in)
350pF
Costo)
48pF
Funzione
commutazione ad alta velocità
ID (min)
100uA
Id(imp)
8A
Pd (dissipazione di potenza, massima)
42W
Protezione GS
no
Protezione drain-source
Quantità per scatola
1
RoHS
Td(acceso)
10 ns
Td(spento)
30 ns
Tecnologia
V-MOS
Tipo di canale
N
Tipo di transistor
MOSFET
Vgs(esimo) massimo
4 v
Vgs(esimo) min.
2V
Prodotto originale del produttore
International Rectifier

Prodotti e/o accessori equivalenti per IRFUC20