Transistor a canale N STP11NB40FP, 3.8A, 6A, 50uA, 0.48 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 400V

Transistor a canale N STP11NB40FP, 3.8A, 6A, 50uA, 0.48 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 400V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
1.52fr
5-24
1.31fr
25-49
1.18fr
50+
1.08fr
Equivalenza disponibile
Quantità in magazzino: 1

Transistor a canale N STP11NB40FP, 3.8A, 6A, 50uA, 0.48 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 400V. ID (T=100°C): 3.8A. ID (T=25°C): 6A. Idss (massimo): 50uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.48 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FP. Voltaggio Vds(max): 400V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 1250pF. Costo): 210pF. Diodo Trr (min.): 400 ns. Funzione: Commutazione ad alta velocità. ID (min): 1uA. Id(imp): 42.8A. Nota: Viso 2000VDC. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Td(acceso): 17 ns. Td(spento): 10 ns. Tecnologia: PowerMESH MOSFET. Temperatura: +150°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) min.: 3V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Prodotto originale del produttore: Stmicroelectronics. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 15:24

Documentazione tecnica (PDF)
STP11NB40FP
30 parametri
ID (T=100°C)
3.8A
ID (T=25°C)
6A
Idss (massimo)
50uA
Rds sulla resistenza attiva
0.48 Ohms
Alloggiamento
TO-220FP
Custodia (secondo scheda tecnica)
TO-220FP
Voltaggio Vds(max)
400V
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
C(in)
1250pF
Costo)
210pF
Diodo Trr (min.)
400 ns
Funzione
Commutazione ad alta velocità
ID (min)
1uA
Id(imp)
42.8A
Nota
Viso 2000VDC
Numero di terminali
3
Pd (dissipazione di potenza, massima)
40W
Protezione GS
no
Protezione drain-source
diodo Zener
Quantità per scatola
1
RoHS
Td(acceso)
17 ns
Td(spento)
10 ns
Tecnologia
PowerMESH MOSFET
Temperatura
+150°C
Tipo di canale
N
Tipo di transistor
MOSFET
Vgs(esimo) min.
3V
Voltaggio gate/source Vgs
30 v
Prodotto originale del produttore
Stmicroelectronics

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