Transistor a canale N STP11NM60ND, 6.3A, 10A, 100uA, 0.37 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. ID (T=100°C): 6.3A. ID (T=25°C): 10A. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.37 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio Vds(max): 600V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 850pF. Condizionamento: tubo di plastica. Costo): 44pF. Diodo Trr (min.): 130 ns. Funzione: LOW INPUT CAPACITANCE, RESISTANCE AND GATE CHARGE. ID (min): 1uA. Id(imp): 40A. Marcatura sulla cassa: 11NM60ND. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 90W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Spec info: HIGH dv/dt AND AVALANCHE CAPABILITIES. Td(acceso): 16 ns. Td(spento): 50 ns. Tecnologia: MDmesh II POWER MOSFET. Temperatura di funzionamento: -...+150°C. Temperatura: +150°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Unità di condizionamento: 50. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Voltaggio gate/source Vgs: 25V. Prodotto originale del produttore: Stmicroelectronics. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 15:24