Transistor a canale N STP16NF06, 11A, 16A, 10uA, 0.08 Ohms, TO-220, TO-220AB, 60V

Transistor a canale N STP16NF06, 11A, 16A, 10uA, 0.08 Ohms, TO-220, TO-220AB, 60V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
0.83fr
5-24
0.72fr
25-49
0.62fr
50-99
0.56fr
100+
0.46fr
Quantità in magazzino: 73

Transistor a canale N STP16NF06, 11A, 16A, 10uA, 0.08 Ohms, TO-220, TO-220AB, 60V. ID (T=100°C): 11A. ID (T=25°C): 16A. Idss (massimo): 10uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.08 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 60V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 315pF. Costo): 70pF. Diodo Trr (min.): 50 ns. Funzione: Eccezionale capacità dv/dt, basso costo di gate. ID (min): 1uA. Id(imp): 64A. Marcatura sulla cassa: P16NF06. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 45W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Spec info: ID pulse 64A, Low gate charge. Td(acceso): 17 ns. Td(spento): 7 ns. Tecnologia: STripFET™ II Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Prodotto originale del produttore: Stmicroelectronics. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 15:24

Documentazione tecnica (PDF)
STP16NF06
32 parametri
ID (T=100°C)
11A
ID (T=25°C)
16A
Idss (massimo)
10uA
Rds sulla resistenza attiva
0.08 Ohms
Alloggiamento
TO-220
Custodia (secondo scheda tecnica)
TO-220AB
Voltaggio Vds(max)
60V
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
C(in)
315pF
Costo)
70pF
Diodo Trr (min.)
50 ns
Funzione
Eccezionale capacità dv/dt, basso costo di gate
ID (min)
1uA
Id(imp)
64A
Marcatura sulla cassa
P16NF06
Numero di terminali
3
Pd (dissipazione di potenza, massima)
45W
Protezione GS
no
Protezione drain-source
Quantità per scatola
1
RoHS
Spec info
ID pulse 64A, Low gate charge
Td(acceso)
17 ns
Td(spento)
7 ns
Tecnologia
STripFET™ II Power MOSFET
Temperatura di funzionamento
-55...+175°C
Tipo di canale
N
Tipo di transistor
MOSFET
Vgs(esimo) massimo
4 v
Vgs(esimo) min.
2V
Voltaggio gate/source Vgs
20V
Prodotto originale del produttore
Stmicroelectronics