Transistor a canale N STP26NM60N, 12.6A, 20A, 100uA, 0.135 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. ID (T=100°C): 12.6A. ID (T=25°C): 20A. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.135 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio Vds(max): 600V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 1800pF. Condizionamento: tubo di plastica. Costo): 115pF. Diodo Trr (min.): 450 ns. Funzione: circuiti di commutazione. ID (min): 1uA. Id(imp): 80A. Marcatura sulla cassa: 26NM60N. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 140W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Spec info: Bassa capacità di ingresso e carica di gate. Td(acceso): 85 ns. Td(spento): 13 ns. Tecnologia: MDmesh PpwerMOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Unità di condizionamento: 50. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Prodotto originale del produttore: Stmicroelectronics. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 15:24