Transistor a canale N STP30NF10, 25A, 35A, 10uA, 0.038 Ohms, TO-220, TO-220, 100V

Transistor a canale N STP30NF10, 25A, 35A, 10uA, 0.038 Ohms, TO-220, TO-220, 100V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
1.38fr
5-24
1.21fr
25-49
1.07fr
50-99
0.94fr
100+
0.75fr
Quantità in magazzino: 37

Transistor a canale N STP30NF10, 25A, 35A, 10uA, 0.038 Ohms, TO-220, TO-220, 100V. ID (T=100°C): 25A. ID (T=25°C): 35A. Idss (massimo): 10uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.038 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio Vds(max): 100V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 1180pF. Condizionamento: tubo di plastica. Costo): 180pF. Diodo Trr (min.): 110us. ID (min): 1uA. Id(imp): 140A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 115W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Spec info: Carica di input bassa. Td(acceso): 15 ns. Td(spento): 45 ns. Tecnologia: STripFET II POWER MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Tensione di soglia del diodo: 1.3V. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Unità di condizionamento: 50. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Prodotto originale del produttore: Stmicroelectronics. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 15:24

Documentazione tecnica (PDF)
STP30NF10
33 parametri
ID (T=100°C)
25A
ID (T=25°C)
35A
Idss (massimo)
10uA
Rds sulla resistenza attiva
0.038 Ohms
Alloggiamento
TO-220
Custodia (secondo scheda tecnica)
TO-220
Voltaggio Vds(max)
100V
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
C(in)
1180pF
Condizionamento
tubo di plastica
Costo)
180pF
Diodo Trr (min.)
110us
ID (min)
1uA
Id(imp)
140A
Numero di terminali
3
Pd (dissipazione di potenza, massima)
115W
Protezione GS
no
Protezione drain-source
Quantità per scatola
1
RoHS
Spec info
Carica di input bassa
Td(acceso)
15 ns
Td(spento)
45 ns
Tecnologia
STripFET II POWER MOSFET
Temperatura di funzionamento
-55...+175°C
Tensione di soglia del diodo
1.3V
Tipo di canale
N
Tipo di transistor
MOSFET
Unità di condizionamento
50
Vgs(esimo) massimo
4 v
Vgs(esimo) min.
2V
Voltaggio gate/source Vgs
20V
Prodotto originale del produttore
Stmicroelectronics