Transistor a canale N STP55NE06, 39A, 55A, 10uA, 0.019 Ohms, TO-220, TO-220, 60V. ID (T=100°C): 39A. ID (T=25°C): 55A. Idss (massimo): 10uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.019 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio Vds(max): 60V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 3050pF. Costo): 380pF. Diodo Trr (min.): 110 ns. Funzione: commutazione ad alta velocità. ID (min): 1uA. Id(imp): 220A. Marcatura sulla cassa: P55NE06. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 130W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Td(acceso): 30 ns. Tecnologia: transistor MOSFET di potenza. Temperatura: +175°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Prodotto originale del produttore: Stmicroelectronics. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 15:24