Transistor a canale N STP55NF06, 60V, 35A, TO-220, 50A, 10uA, 0.015 Ohms, TO-220, 60V. Vdss (tensione dallo scarico alla sorgente): 60V. ID (T=100°C): 35A. Alloggiamento: TO-220. ID (T=25°C): 50A. Idss (massimo): 10uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.015 Ohms. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio Vds(max): 60V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 1300pF. Caratteristiche: -. Costo): 300pF. Diodo Trr (min.): 75 ns. Funzione: commutazione ad alta velocità. ID (min): 1uA. Id @ Tc=25°C (corrente di scarico continua): 50A. Id(imp): 200A. Informazioni: -. MSL: -. Marcatura sulla cassa: P55NF06. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 110W. Polarità: MOSFET N. Protezione GS: no. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Serie: -. Td(acceso): 20 ns. Td(spento): 36ns. Tecnologia: STripFET II POWER MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Tensione di azionamento: 10V. Tensione gate/source Vgs max: -20V. Tipo di canale: N. Tipo di montaggio: THT. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Prodotto originale del produttore: Stmicroelectronics. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 15:24