Transistor a canale N STP5NK80Z, 800V, 2.7A, 4.3A, 50uA, 1.9 Ohms, TO-220, TO-220, 800V. Tensione drain-source (Vds): 800V. ID (T=100°C): 2.7A. ID (T=25°C): 4.3A. Idss (massimo): 50uA. Rds sulla resistenza attiva: 1.9 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio Vds(max): 800V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 910pF. Corrente di assorbimento massima: 4.3A. Costo): 98pF. Diodo Trr (min.): 500 ns. Funzione: Transistor MOSFET di potenza protetto da Zener. ID (min): 1uA. Id(imp): 17.2A. Marcatura sulla cassa: P5NK80Z. Pd (dissipazione di potenza, massima): 110W. Potenza: 110W. Protezione GS: sì. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Td(acceso): 18 ns. Td(spento): 45 ns. Tecnologia: SuperMESH Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 4.5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Prodotto originale del produttore: Stmicroelectronics. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 15:24