Transistor a canale N STP62NS04Z, 37.5A, 62A, 0.01mA, 62A, 12.5m Ohms, TO-220, TO-220, 33V. ID (T=100°C): 37.5A. ID (T=25°C): 62A. Ids: 0.01mA. Idss (massimo): 62A. Rds sulla resistenza attiva: 12.5m Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio Vds(max): 33V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 1330pF. Costo): 420pF. Diodo Trr (min.): 45 ns. Funzione: completamente protetto. Id(imp): 248A. Marcatura sulla cassa: P62NS04Z. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 110W. Protezione GS: sì. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Td(acceso): 13 ns. Td(spento): 41 ns. Tecnologia: MESH OVERLAY™ Power MOSFET. Tensione gate/source (spenta) min.: 2V. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Voltaggio gate/source Vgs: 10V. Prodotto originale del produttore: Stmicroelectronics. Quantità in stock aggiornata il 31/10/2025, 08:58