Transistor a canale N STP6NK90Z, 3.65A, 5.8A, 50uA, 1.56 Ohms, TO-220, TO-220, 900V

Transistor a canale N STP6NK90Z, 3.65A, 5.8A, 50uA, 1.56 Ohms, TO-220, TO-220, 900V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
2.48fr
5-24
2.15fr
25-49
1.88fr
50-99
1.66fr
100+
1.36fr
Quantità in magazzino: 39

Transistor a canale N STP6NK90Z, 3.65A, 5.8A, 50uA, 1.56 Ohms, TO-220, TO-220, 900V. ID (T=100°C): 3.65A. ID (T=25°C): 5.8A. Idss (massimo): 50uA. Rds sulla resistenza attiva: 1.56 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio Vds(max): 900V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 1350pF. Condizionamento: tubo di plastica. Costo): 130pF. Diodo Trr (min.): 840 ns. Funzione: Transistor MOSFET di potenza protetto da Zener. ID (min): 1uA. Id(imp): 23.2A. Marcatura sulla cassa: P6NK90Z. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 140W. Protezione GS: sì. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Td(acceso): 17 ns. Td(spento): 45 ns. Tecnologia: SuperMESH Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Unità di condizionamento: 50. Vgs(esimo) massimo: 4.5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Prodotto originale del produttore: Stmicroelectronics. Quantità in stock aggiornata il 31/10/2025, 08:58

Documentazione tecnica (PDF)
STP6NK90Z
33 parametri
ID (T=100°C)
3.65A
ID (T=25°C)
5.8A
Idss (massimo)
50uA
Rds sulla resistenza attiva
1.56 Ohms
Alloggiamento
TO-220
Custodia (secondo scheda tecnica)
TO-220
Voltaggio Vds(max)
900V
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
C(in)
1350pF
Condizionamento
tubo di plastica
Costo)
130pF
Diodo Trr (min.)
840 ns
Funzione
Transistor MOSFET di potenza protetto da Zener
ID (min)
1uA
Id(imp)
23.2A
Marcatura sulla cassa
P6NK90Z
Numero di terminali
3
Pd (dissipazione di potenza, massima)
140W
Protezione GS
Protezione drain-source
Quantità per scatola
1
RoHS
Td(acceso)
17 ns
Td(spento)
45 ns
Tecnologia
SuperMESH Power MOSFET
Temperatura di funzionamento
-55...+150°C
Tipo di canale
N
Tipo di transistor
MOSFET
Unità di condizionamento
50
Vgs(esimo) massimo
4.5V
Vgs(esimo) min.
3V
Voltaggio gate/source Vgs
30 v
Prodotto originale del produttore
Stmicroelectronics