Transistor a canale N STP7NK80ZFP, 800V, 1.5 Ohms, 3.3A, 5.2A, 1uA, 50uA, TO-220FP, TO-220FP, 800V. Tensione drain-source (Vds): 800V. Rds sulla resistenza attiva: 1.5 Ohms. ID (T=100°C): 3.3A. ID (T=25°C): 5.2A. Ids: 1uA. Idss (massimo): 50uA. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FP. Voltaggio Vds(max): 800V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 1138pF. Corrente di assorbimento massima: 5.2A. Costo): 122pF. Diodo Trr (min.): 530 ns. Funzione: CAPACITÀ dv/dt ESTREMAMENTE ELEVATA. ID (min): 1uA. Id(imp): 20.8A. Marcatura sulla cassa: P7NK80ZFP. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 30W. Protezione GS: sì. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Spec info: Zener-Protected SuperMESH™Power MOSFET. Td(acceso): 20 ns. Td(spento): 45 ns. Tecnologia: SuperMESH. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) min.: 3.75V. Prodotto originale del produttore: Stmicroelectronics. Quantità in stock aggiornata il 31/10/2025, 08:58