Transistor a canale N VNP35N07, TO-220, Limitato internamente, 200uA, 70V, 0.028 Ohms, TO-220AB, 70V. Alloggiamento: TO-220. Custodia (standard JEDEC): -. ID (T=25°C): Limitato internamente. Idss (massimo): 200uA. Tensione drain-source Uds [V]: 70V. Rds sulla resistenza attiva: 0.028 Ohms. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 70V. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.028 Ohms @ 18A. Capacità del gate Ciss [pF]: -. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Costo): 980pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 125W. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Funzione: Interruttore driver completamente autoprotetto. ID (min): 50uA. ID corrente di scarico (a) @ 25 ° C: 35A. Marcatura del produttore: VNP35N07. Numero di terminali: 3. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 125W. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 1000 ns. RoHS: sì. Spec info: Limitazione di corrente lineare. Td(acceso): 100 ns. Td(spento): 650 ns. Tecnologia: OMNIFET. Temperatura massima: +135°C.. Tempo di accensione ton [nsec.]: 200 ns. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 3V. Tensione in ingresso Vin (max): 18V. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Utilizzato per: Ilim= 35A IR= -50A. Prodotto originale del produttore: Stmicroelectronics. Quantità in stock aggiornata il 12/11/2025, 19:08