Transistor a canale N YJP130G10B, 100V, 0.0055 Ohms, TO-220AB
Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
1.81fr
5-19
1.50fr
20-29
1.35fr
30-49
1.24fr
50-99
1.14fr
100+
1.11fr
| Quantità in magazzino: 430 |
Transistor a canale N YJP130G10B, 100V, 0.0055 Ohms, TO-220AB. Tensione drain-source (Vds): 100V. Rds sulla resistenza attiva: 0.0055 Ohms. Alloggiamento: TO-220AB. Corrente di assorbimento massima: 130A. Potenza: 260W. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: transistor di potenza MOSFET. Prodotto originale del produttore: Yangjie Electronic Technology. Quantità in stock aggiornata il 01/01/2026, 19:59
YJP130G10B
8 parametri
Tensione drain-source (Vds)
100V
Rds sulla resistenza attiva
0.0055 Ohms
Alloggiamento
TO-220AB
Corrente di assorbimento massima
130A
Potenza
260W
Tipo di canale
N
Tipo di transistor
transistor di potenza MOSFET
Prodotto originale del produttore
Yangjie Electronic Technology