Transistor a canale P BS250P, TO-92, 0.23A, -45V, 500nA, TO-92, 45V. Alloggiamento: TO-92. Custodia (standard JEDEC): -. ID (T=25°C): 0.23A. Tensione drain-source Uds [V]: -45V. Idss (massimo): 500nA. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio Vds(max): 45V. : migliorato. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 14 Ohms @ -0.2A. C(in): 60pF. Capacità del gate Ciss [pF]: 60pF. Condizionamento: -. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. DRUCE CORRENTE: -0.23A. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.7W. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. ID corrente di scarico (a) @ 25 ° C: -0.23A. Id(imp): 3A. Marcatura del produttore: BS250P. Numero di terminali: 3. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.7W. Polarità: unipolari. Potenza: 0.7W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: no. Quantità per scatola: 1. Rds sulla resistenza attiva: 14 Ohms. Resistenza allo stato: 14 Ohms. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 20 ns. RoHS: sì. Td(acceso): 20 ns. Td(spento): 20 ns. Tecnologia: ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Temperatura massima: +150°C.. Tempo di accensione ton [nsec.]: 20 ns. Tensione di gate-source: ±20V. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -3.5V. Tensione drain-source: -45V. Tipo di canale: P. Tipo di transistor: P-MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 3.5V. Vgs(esimo) min.: 1V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Prodotto originale del produttore: Diodes Inc. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 13:31