Transistor a canale P BSS83P, SOT23

Transistor a canale P BSS83P, SOT23

Qnéuantità
Prezzo unitario
20-39
0.21fr
40-199
0.20fr
200-999
0.18fr
1000-2999
0.16fr
3000+
0.15fr
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Min.: 20

Transistor a canale P BSS83P, SOT23. Alloggiamento: SOT23. Assemblaggio/installazione: SMD. Caratteristiche: -. DRUCE CORRENTE: -330mA. Id @ Tc=25°C (corrente di scarico continua): 330mA. Informazioni: -. MSL: 1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.36W. Polarità: unipolari. Potenza: 360mW. QG (CONDARE GATE TOTALE, MAX @ VGS): -. Resistenza allo stato: 2 Ohms. RoHS: no. Serie: -. Temperatura di funzionamento: -. Tensione di azionamento: -. Tensione drain-source: -60V. Tensione gate/source Vgs max: -20V. Tipo di montaggio: SMD. Tipo di transistor: P-MOSFET. Vdss (tensione dallo scarico alla sorgente): -60V. Vgs (th) (max) @ id: -. Prodotto originale del produttore: Various. Quantità minima: 20. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 00:49

BSS83P
17 parametri
Alloggiamento
SOT23
Assemblaggio/installazione
SMD
DRUCE CORRENTE
-330mA
Id @ Tc=25°C (corrente di scarico continua)
330mA
MSL
1
Pd (dissipazione di potenza, massima)
0.36W
Polarità
unipolari
Potenza
360mW
Resistenza allo stato
2 Ohms
RoHS
no
Tensione drain-source
-60V
Tensione gate/source Vgs max
-20V
Tipo di montaggio
SMD
Tipo di transistor
P-MOSFET
Vdss (tensione dallo scarico alla sorgente)
-60V
Prodotto originale del produttore
Various
Quantità minima
20