Transistor a canale P BSS84-215-PD, SOT-23, TO-236AB, -50V

Transistor a canale P BSS84-215-PD, SOT-23, TO-236AB, -50V

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Transistor a canale P BSS84-215-PD, SOT-23, TO-236AB, -50V. Alloggiamento: SOT-23. Custodia (standard JEDEC): TO-236AB. Tensione drain-source Uds [V]: -50V. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 10 Ohms @ -0.13A. Capacità del gate Ciss [pF]: 45pF. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Dissipazione massima Ptot [W]: 0.25W. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. ID corrente di scarico (a) @ 25 ° C: -0.13A. Marcatura del produttore: 13. Numero di terminali: 3. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 7 ns. RoHS: sì. Temperatura massima: +150°C.. Tempo di accensione ton [nsec.]: 3 ns. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -2V. Prodotto originale del produttore: Nxp. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 15:27

BSS84-215-PD
17 parametri
Alloggiamento
SOT-23
Custodia (standard JEDEC)
TO-236AB
Tensione drain-source Uds [V]
-50V
Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]
10 Ohms @ -0.13A
Capacità del gate Ciss [pF]
45pF
Configurazione
componente a montaggio superficiale (SMD)
Dissipazione massima Ptot [W]
0.25W
Famiglia di componenti
MOSFET, P-MOS
ID corrente di scarico (a) @ 25 ° C
-0.13A
Marcatura del produttore
13
Numero di terminali
3
Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]
7 ns
RoHS
Temperatura massima
+150°C.
Tempo di accensione ton [nsec.]
3 ns
Tensione di rottura del gate Ugs [V]
-2V
Prodotto originale del produttore
Nxp