Transistor a canale P IRF9520PBF, TO-220AB, -100V. Alloggiamento: TO-220AB. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: -100V. Assemblaggio/installazione: THT. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.48 Ohms @ -4A. Capacità del gate Ciss [pF]: 390pF. Caratteristiche: -. Carica: 18nC. Condizionamento: tubus. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. DRUCE CORRENTE: -4.8A. Dissipazione massima Ptot [W]: 48W. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. ID corrente di scarico (a) @ 25 ° C: -6.8A. Id @ Tc=25°C (corrente di scarico continua): 6A. Informazioni: -. MSL: -. Marcatura del produttore: IRF9520PBF. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. Polarità: unipolari. Potenza: 60W. Resistenza allo stato: 0.6 Ohms. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 21 ns. RoHS: sì. Serie: -. Temperatura massima: +175°C.. Tempo di accensione ton [nsec.]: 9.6 ns. Tensione di azionamento: 10V. Tensione di gate-source: ±20V. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -4V. Tensione drain-source: -100V. Tensione gate/source Vgs max: -20V. Tipo di montaggio: THT. Tipo di transistor: P-MOSFET. Vdss (tensione dallo scarico alla sorgente): -100V. Prodotto originale del produttore: Vishay (ir). Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 16:38