Transistor a canale P IRF9630PBF, -200V, 6.5A, TO220AB
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Prezzo unitario
4-7
1.34fr
8-49
1.29fr
50-149
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150-599
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600+
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Transistor a canale P IRF9630PBF, -200V, 6.5A, TO220AB. Tensione drain-source (Vds): -200V. Corrente di assorbimento massima: 6.5A. Alloggiamento: TO220AB. Caratteristiche: -. Id @ Tc=25°C (corrente di scarico continua): 6.5A. Informazioni: -. MSL: -. Pd (dissipazione di potenza, massima): 74W. Polarità: MOSFET P. Potenza: 75W. Rds sulla resistenza attiva: 0.8 Ohms. Serie: -. Tensione di azionamento: 10V. Tensione gate/source Vgs max: -20V. Tipo di canale: P. Tipo di montaggio: THT. Tipo di transistor: transistor di potenza MOSFET. Vdss (tensione dallo scarico alla sorgente): -200V. Prodotto originale del produttore: VISHAY IR. Quantità minima: 4. Quantità in stock aggiornata il 12/11/2025, 22:36
IRF9630PBF
16 parametri
Tensione drain-source (Vds)
-200V
Corrente di assorbimento massima
6.5A
Alloggiamento
TO220AB
Id @ Tc=25°C (corrente di scarico continua)
6.5A
Pd (dissipazione di potenza, massima)
74W
Polarità
MOSFET P
Potenza
75W
Rds sulla resistenza attiva
0.8 Ohms
Tensione di azionamento
10V
Tensione gate/source Vgs max
-20V
Tipo di canale
P
Tipo di montaggio
THT
Tipo di transistor
transistor di potenza MOSFET
Vdss (tensione dallo scarico alla sorgente)
-200V
Prodotto originale del produttore
VISHAY IR
Quantità minima
4