Transistor a canale P IRF9640PBF, TO220AB, -200V, 11A, -200V. Alloggiamento: TO220AB. Tensione drain-source (Vds): -200V. Corrente di assorbimento massima: 11A. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: -200V. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.5 Ohms @ -6.6A. Capacità del gate Ciss [pF]: 1200pF. Caratteristiche: -. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Dissipazione massima Ptot [W]: 125W. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. ID corrente di scarico (a) @ 25 ° C: -11A. Id @ Tc=25°C (corrente di scarico continua): 11A. Informazioni: -. MSL: -. Marcatura del produttore: IRF9640PBF. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 125W. Polarità: MOSFET P. Potenza: 125W. Rds sulla resistenza attiva: 0.5 Ohms. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 39 ns. RoHS: sì. Serie: -. Temperatura massima: +150°C.. Tempo di accensione ton [nsec.]: 14 ns. Tensione di azionamento: 10V. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -4V. Tensione gate/source Vgs max: -20V. Tipo di canale: P. Tipo di montaggio: THT. Tipo di transistor: transistor di potenza MOSFET. Vdss (tensione dallo scarico alla sorgente): -200V. Prodotto originale del produttore: Vishay (ir). Quantità in stock aggiornata il 12/11/2025, 21:22