Transistor a canale P IRFD9014, 1.1A, 500uA, DIP, DH-1 house, DIP-4, 60V. ID (T=25°C): 1.1A. Idss (massimo): 500uA. Alloggiamento: DIP. Custodia (secondo scheda tecnica): DH-1 house, DIP-4. Voltaggio Vds(max): 60V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 270pF. Condizionamento: tubo di plastica. Costo): 170pF. Diodo Trr (min.): 80 ns. Funzione: Transistor MOSFET a canale P. ID (T=100°C): 0.8A. ID (min): 100uA. Id(imp): 8.8A. Numero di terminali: 4. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1.3W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Rds sulla resistenza attiva: 0.50 Ohms. RoHS: sì. Td(acceso): 11 ns. Td(spento): 10 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Tipo di canale: P. Tipo di transistor: FET. Unità di condizionamento: 100dB. Vgs(esimo) min.: 2V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Prodotto originale del produttore: International Rectifier. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 07:43