Transistor a canale P IRFL9110PBF, SOT-223, -100V
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Transistor a canale P IRFL9110PBF, SOT-223, -100V. Alloggiamento: SOT-223. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: -100V. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.2 Ohms @ -0.66A. Capacità del gate Ciss [pF]: 200pF. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Dissipazione massima Ptot [W]: 3.1W. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. ID corrente di scarico (a) @ 25 ° C: -1.1A. Marcatura del produttore: FF. Numero di terminali: 3. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 15 ns. RoHS: sì. Temperatura massima: +150°C.. Tempo di accensione ton [nsec.]: 10 ns. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -4V. Prodotto originale del produttore: Vishay (ir). Quantità in stock aggiornata il 12/11/2025, 21:22