Transistor a canale P IRFR9024N, D-PAK ( TO-252 ), 11A, 250uA, TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). ID (T=25°C): 11A. Idss (massimo): 250uA. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Voltaggio Vds(max): 55V. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). C(in): 350pF. Carica: 12.7nC. Costo): 170pF. DRUCE CORRENTE: -11A. Diodo Trr (min.): 47 ns. Funzione: commutazione ad alta velocità. ID (T=100°C): 8A. ID (min): 25uA. Id(imp): 44A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 38W. Polarità: unipolari. Potenza: 38W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Rds sulla resistenza attiva: 0.175 Ohms. Resistenza termica abitativa: 3.3K/W. RoHS: sì. Td(acceso): 13 ns. Td(spento): 23 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di gate-source: 20V. Tensione drain-source: -55V. Tipo di canale: P. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Prodotto originale del produttore: International Rectifier. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 02:45