Transistor a canale P IRFU9024N, 11A, 250uA, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 55V

Transistor a canale P IRFU9024N, 11A, 250uA, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 55V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
0.70fr
5-24
0.59fr
25-49
0.45fr
50+
0.39fr
Equivalenza disponibile
Quantità in magazzino: 30

Transistor a canale P IRFU9024N, 11A, 250uA, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 55V. ID (T=25°C): 11A. Idss (massimo): 250uA. Alloggiamento: TO-251 ( I-Pak ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-251AA ( I-PAK ). Voltaggio Vds(max): 55V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 350pF. Costo): 170pF. Diodo Trr (min.): 47 ns. Funzione: commutazione ad alta velocità. ID (T=100°C): 8A. ID (min): 25uA. Id(imp): 44A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 38W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Rds sulla resistenza attiva: 0.175 Ohms. RoHS: sì. Td(acceso): 15 ns. Td(spento): 23 ns. Tecnologia: HEXFET® Power MOSFET. Tipo di canale: P. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Prodotto originale del produttore: International Rectifier. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 21:11

Documentazione tecnica (PDF)
IRFU9024N
29 parametri
ID (T=25°C)
11A
Idss (massimo)
250uA
Alloggiamento
TO-251 ( I-Pak )
Custodia (secondo scheda tecnica)
TO-251AA ( I-PAK )
Voltaggio Vds(max)
55V
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
C(in)
350pF
Costo)
170pF
Diodo Trr (min.)
47 ns
Funzione
commutazione ad alta velocità
ID (T=100°C)
8A
ID (min)
25uA
Id(imp)
44A
Numero di terminali
3
Pd (dissipazione di potenza, massima)
38W
Protezione GS
no
Protezione drain-source
Quantità per scatola
1
Rds sulla resistenza attiva
0.175 Ohms
RoHS
Td(acceso)
15 ns
Td(spento)
23 ns
Tecnologia
HEXFET® Power MOSFET
Tipo di canale
P
Tipo di transistor
MOSFET
Vgs(esimo) massimo
4 v
Vgs(esimo) min.
2V
Voltaggio gate/source Vgs
20V
Prodotto originale del produttore
International Rectifier

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