Transistor a canale P IRLML6302, SOT23
Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
1.30fr
5-9
0.81fr
10-19
0.70fr
20-49
0.64fr
50+
0.59fr
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Transistor a canale P IRLML6302, SOT23. Alloggiamento: SOT23. Assemblaggio/installazione: SMD. Carica: 2.4nC. DRUCE CORRENTE: -620mA, -0.62A. Polarità: unipolari. Potenza: 0.54W. Proprietà del semiconduttore: Livello logico. Resistenza termica: 230K/W. RoHS: sì. Tecnologia: HEXFET®. Tensione di gate-source: 12V, ±12V. Tensione drain-source: -20V. Prodotto originale del produttore: Infineon (irf). Quantità in stock aggiornata il 12/11/2025, 23:15
IRLML6302
13 parametri
Alloggiamento
SOT23
Assemblaggio/installazione
SMD
Carica
2.4nC
DRUCE CORRENTE
-620mA, -0.62A
Polarità
unipolari
Potenza
0.54W
Proprietà del semiconduttore
Livello logico
Resistenza termica
230K/W
RoHS
sì
Tecnologia
HEXFET®
Tensione di gate-source
12V, ±12V
Tensione drain-source
-20V
Prodotto originale del produttore
Infineon (irf)