Transistor a canale P IXTK90P20P, 90A, 250uA, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 200V. ID (T=25°C): 90A. Idss (massimo): 250uA. Alloggiamento: TO-264 ( TOP-3L ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-264. Voltaggio Vds(max): 200V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 12pF. Costo): 2210pF. Diodo Trr (min.): 315 ns. Funzione: P-Channel Enhancement Mode. ID (T=100°C): -. ID (min): 50uA. Id(imp): 270A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 890W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Rds sulla resistenza attiva: 0.044 Ohms. RoHS: sì. Td(acceso): 32 ns. Td(spento): 89 ns. Tecnologia: PolarPTM Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tipo di canale: P. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) min.: 2V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Prodotto originale del produttore: IXYS. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 21:11