Transistor a canale P NTD2955T4, 12A, 100uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V

Transistor a canale P NTD2955T4, 12A, 100uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
0.85fr
5-49
0.70fr
50-99
0.59fr
100-199
0.52fr
200+
0.46fr
Quantità in magazzino: 192

Transistor a canale P NTD2955T4, 12A, 100uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V. ID (T=25°C): 12A. Idss (massimo): 100uA. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Voltaggio Vds(max): 60V. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). C(in): 500pF. Costo): 150pF. Diodo Trr (min.): 50us. Funzione: ID pulse 36A/10ms. ID (min): 10uA. Id(imp): 36A. Marcatura sulla cassa: NT2955. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 55W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Rds sulla resistenza attiva: 0.155 Ohms. RoHS: sì. Td(acceso): 10 ns. Td(spento): 26 ns. Tecnologia: Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Tipo di canale: P. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) min.: 2V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Prodotto originale del produttore: ON Semiconductor. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 22:29

Documentazione tecnica (PDF)
NTD2955T4
29 parametri
ID (T=25°C)
12A
Idss (massimo)
100uA
Alloggiamento
D-PAK ( TO-252 )
Custodia (secondo scheda tecnica)
TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 )
Voltaggio Vds(max)
60V
Assemblaggio/installazione
componente a montaggio superficiale (SMD)
C(in)
500pF
Costo)
150pF
Diodo Trr (min.)
50us
Funzione
ID pulse 36A/10ms
ID (min)
10uA
Id(imp)
36A
Marcatura sulla cassa
NT2955
Numero di terminali
2
Pd (dissipazione di potenza, massima)
55W
Protezione GS
no
Protezione drain-source
diodo Zener
Quantità per scatola
1
Rds sulla resistenza attiva
0.155 Ohms
RoHS
Td(acceso)
10 ns
Td(spento)
26 ns
Tecnologia
Power MOSFET
Temperatura di funzionamento
-55...+175°C
Tipo di canale
P
Tipo di transistor
MOSFET
Vgs(esimo) min.
2V
Voltaggio gate/source Vgs
20V
Prodotto originale del produttore
ON Semiconductor