Transistor a canale P SI4435DY, 8.8A, 8.8A, SO, SO-8, 30 v

Transistor a canale P SI4435DY, 8.8A, 8.8A, SO, SO-8, 30 v

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
1.00fr
5-49
0.83fr
50-99
0.70fr
100+
0.63fr
Quantità in magazzino: 16

Transistor a canale P SI4435DY, 8.8A, 8.8A, SO, SO-8, 30 v. ID (T=25°C): 8.8A. Idss (massimo): 8.8A. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Voltaggio Vds(max): 30 v. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Funzione: Transistor MOSFET a canale P. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2.5W. Quantità per scatola: 1. Rds sulla resistenza attiva: 0.015 Ohms. Tecnologia: D-S-MOSFET. Tipo di canale: P. Tipo di transistor: MOSFET. Prodotto originale del produttore: Vishay. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 07:30

Documentazione tecnica (PDF)
SI4435DY
15 parametri
ID (T=25°C)
8.8A
Idss (massimo)
8.8A
Alloggiamento
SO
Custodia (secondo scheda tecnica)
SO-8
Voltaggio Vds(max)
30 v
Assemblaggio/installazione
componente a montaggio superficiale (SMD)
Funzione
Transistor MOSFET a canale P
Numero di terminali
8:1
Pd (dissipazione di potenza, massima)
2.5W
Quantità per scatola
1
Rds sulla resistenza attiva
0.015 Ohms
Tecnologia
D-S-MOSFET
Tipo di canale
P
Tipo di transistor
MOSFET
Prodotto originale del produttore
Vishay