Transistor a canale P STD10P6F6, D-PAK ( TO-252 ), TO-252, -60V, 10A, 10uA, TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ), 60V. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (standard JEDEC): TO-252. Tensione drain-source Uds [V]: -60V. ID (T=25°C): 10A. Idss (massimo): 10uA. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ). Voltaggio Vds(max): 60V. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.16 Ohms @ -10A. C(in): 340pF. Capacità del gate Ciss [pF]: 340pF. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Costo): 40pF. Diodo Trr (min.): 20 ns. Dissipazione massima Ptot [W]: 36W. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. Funzione: circuiti di commutazione. ID (T=100°C): 7.2A. ID (min): 1uA. ID corrente di scarico (a) @ 25 ° C: -10A. Id(imp): 40A. Marcatura del produttore: 10P6F6. Marcatura sulla cassa: 10P6F6. Numero di terminali: 2. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 35W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Rds sulla resistenza attiva: 0.13 Ohms. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 14 ns. RoHS: sì. Td(acceso): 14 ns. Td(spento): 64 ns. Tecnologia: MOSFET di potenza STRipFET™ II a bassa carica del gate. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Temperatura massima: +175°C.. Tempo di accensione ton [nsec.]: 64 ns. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -4V. Tipo di canale: P. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Prodotto originale del produttore: Stmicroelectronics. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 05:54