| Quantità in magazzino: 4 |
Transistor MOSFET AP4511GD
Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
2.28fr
5-49
1.98fr
50-94
1.65fr
95+
1.47fr
| Equivalenza disponibile | |
| Quantità in magazzino: 162 |
Transistor MOSFET AP4511GD. Alloggiamento: DIP. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Funzione: coppia di transistor MOSFET a canale N e canale P complementari. Nota: 0.025 Ohms & 0.040 Ohms. Numero di terminali: 8:1. Quantità per scatola: 2. Tecnologia: DIP-8. Tipo di canale: N-P. Prodotto originale del produttore: Advanced Power. Quantità in stock aggiornata il 31/10/2025, 09:24
AP4511GD
9 parametri
Alloggiamento
DIP
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
Funzione
coppia di transistor MOSFET a canale N e canale P complementari
Nota
0.025 Ohms & 0.040 Ohms
Numero di terminali
8:1
Quantità per scatola
2
Tecnologia
DIP-8
Tipo di canale
N-P
Prodotto originale del produttore
Advanced Power