Transistor MOSFET FDS4559
Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
0.78fr
5-49
0.63fr
50-99
0.53fr
100-199
0.48fr
200+
0.39fr
| Quantità in magazzino: 352 |
Transistor MOSFET FDS4559. Alloggiamento: SO. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Condizionamento: rotolo. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Funzione: Rds-on 0.042 Ohms (Q1), 0.082 Ohms (Q2). Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2W. Quantità per scatola: 2. RoHS: sì. Spec info: Transistor a canale N (Q1), transistor a canale P (Q2). Tecnologia: omplementary PowerTrench MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tipo di canale: N-P. Unità di condizionamento: 2500. Prodotto originale del produttore: Fairchild. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 16:41
FDS4559
15 parametri
Alloggiamento
SO
Assemblaggio/installazione
componente a montaggio superficiale (SMD)
Condizionamento
rotolo
Custodia (secondo scheda tecnica)
SO-8
Funzione
Rds-on 0.042 Ohms (Q1), 0.082 Ohms (Q2)
Numero di terminali
8:1
Pd (dissipazione di potenza, massima)
2W
Quantità per scatola
2
RoHS
sì
Spec info
Transistor a canale N (Q1), transistor a canale P (Q2)
Tecnologia
omplementary PowerTrench MOSFET
Temperatura di funzionamento
-55...+150°C
Tipo di canale
N-P
Unità di condizionamento
2500
Prodotto originale del produttore
Fairchild