Transistor MOSFET IRF7309
Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
0.61fr
5-49
0.50fr
50-99
0.41fr
100-199
0.36fr
200+
0.30fr
| Quantità in magazzino: 178 |
Transistor MOSFET IRF7309. Alloggiamento: SO. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Funzione: 0.05R & 0.1R. ID (T=25°C): 4.7A & 3.5A. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1.4W. Quantità per scatola: 2. RoHS: sì. Tecnologia: MOSFET di potenza HEXFET. Tipo di canale: N-P. Voltaggio Vds(max): 30 v. Prodotto originale del produttore: International Rectifier. Quantità in stock aggiornata il 18/12/2025, 19:08
IRF7309
13 parametri
Alloggiamento
SO
Assemblaggio/installazione
componente a montaggio superficiale (SMD)
Custodia (secondo scheda tecnica)
SO-8
Funzione
0.05R & 0.1R
ID (T=25°C)
4.7A & 3.5A
Numero di terminali
8:1
Pd (dissipazione di potenza, massima)
1.4W
Quantità per scatola
2
RoHS
sì
Tecnologia
MOSFET di potenza HEXFET
Tipo di canale
N-P
Voltaggio Vds(max)
30 v
Prodotto originale del produttore
International Rectifier