Transistor NPN 2N3019-ST, 1A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 80V. Corrente del collettore: 1A. Alloggiamento: TO-39 ( TO-205 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-39. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. FT: 100 MHz. Guadagno hFE massimo: 300. Guadagno hFE minimo: 100. Materiale semiconduttore: silicio. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.8W. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Tecnologia: transistor epitassiale planare. Temperatura: +175°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.2V. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 140V. Vebo: 7V. Prodotto originale del produttore: Stmicroelectronics. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 01:37