Transistor NPN 2N3019, TO-39 ( TO-205 ), 1A, 1A, TO-39, 80V

Transistor NPN 2N3019, TO-39 ( TO-205 ), 1A, 1A, TO-39, 80V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
0.67fr
5-24
0.57fr
25-49
0.50fr
50-99
0.45fr
100+
0.39fr
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Equivalenza disponibile
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Transistor NPN 2N3019, TO-39 ( TO-205 ), 1A, 1A, TO-39, 80V. Alloggiamento: TO-39 ( TO-205 ). Corrente collettore Ic [A], max.: 1A. Corrente del collettore: 1A. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-39. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 60pF. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Corrente collettore Ic [A]: 1A. Costo): 12pF. Custodia (standard JEDEC): TO-39. Diodo BE: no. Diodo CE: no. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.8W. FT: 100 MHz. Famiglia di componenti: transistor NPN. Frequenza di taglio ft [MHz]: 100 MHz. Frequenza: 100MHz. Funzione: Commutazione ad alta velocità. Guadagno hFE massimo: 100. Guadagno hFE minimo: 50. Marcatura del produttore: 2N3019. Materiale semiconduttore: silicio. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.8W. Polarità: bipolari. Potenza: 800mW. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Temperatura massima: +175°C.. Tensione (collettore - emettitore): 140V. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 80V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.2V. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 140V. Vebo: 7V. Prodotto originale del produttore: Cdil. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 01:37

Documentazione tecnica (PDF)
2N3019
37 parametri
Alloggiamento
TO-39 ( TO-205 )
Corrente collettore Ic [A], max.
1A
Corrente del collettore
1A
Custodia (secondo scheda tecnica)
TO-39
Voltaggio collettore/emettitore Vceo
80V
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
C(in)
60pF
Configurazione
montaggio a foro passante su PCB
Corrente collettore Ic [A]
1A
Costo)
12pF
Custodia (standard JEDEC)
TO-39
Diodo BE
no
Diodo CE
no
Dissipazione massima Ptot [W]
0.8W
FT
100 MHz
Famiglia di componenti
transistor NPN
Frequenza di taglio ft [MHz]
100 MHz
Frequenza
100MHz
Funzione
Commutazione ad alta velocità
Guadagno hFE massimo
100
Guadagno hFE minimo
50
Marcatura del produttore
2N3019
Materiale semiconduttore
silicio
Numero di terminali
3
Pd (dissipazione di potenza, massima)
0.8W
Polarità
bipolari
Potenza
800mW
Quantità per scatola
1
RoHS
Temperatura massima
+175°C.
Tensione (collettore - emettitore)
140V
Tensione collettore-emettitore Uceo [V]
80V
Tensione massima di saturazione VCE(sat)
0.2V
Tipo di transistor
NPN
Vcbo
140V
Vebo
7V
Prodotto originale del produttore
Cdil

Prodotti e/o accessori equivalenti per 2N3019