Transistor NPN 2SD1062, 12A, TO-220, TO-220AB, 50V

Transistor NPN 2SD1062, 12A, TO-220, TO-220AB, 50V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
0.99fr
5-24
0.85fr
25-49
0.75fr
50+
0.64fr
Equivalenza disponibile
Quantità in magazzino: 10

Transistor NPN 2SD1062, 12A, TO-220, TO-220AB, 50V. Corrente del collettore: 12A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. FT: 10 MHz. Funzione: inverter ad alta velocità, convertitori, low-sat. Guadagno hFE massimo: 280. Guadagno hFE minimo: 70. Ic(impulso): 15A. Marcatura sulla cassa: D1062. Materiale semiconduttore: silicio. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. Quantità per scatola: 1. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SB826. Temperatura: +150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.4V. Tf(massimo): 1.2us. Tf(min): 0.4us. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 60V. Vebo: 6V. Prodotto originale del produttore: Sanyo. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 12:12

Documentazione tecnica (PDF)
2SD1062
24 parametri
Corrente del collettore
12A
Alloggiamento
TO-220
Custodia (secondo scheda tecnica)
TO-220AB
Voltaggio collettore/emettitore Vceo
50V
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
FT
10 MHz
Funzione
inverter ad alta velocità, convertitori, low-sat
Guadagno hFE massimo
280
Guadagno hFE minimo
70
Ic(impulso)
15A
Marcatura sulla cassa
D1062
Materiale semiconduttore
silicio
Numero di terminali
3
Pd (dissipazione di potenza, massima)
40W
Quantità per scatola
1
Spec info
transistor complementare (coppia) 2SB826
Temperatura
+150°C
Tensione di saturazione VCE(sat)
0.4V
Tf(massimo)
1.2us
Tf(min)
0.4us
Tipo di transistor
NPN
Vcbo
60V
Vebo
6V
Prodotto originale del produttore
Sanyo

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