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| 12 in stock | |
| x2 |
Transistor NPN MJL21193, 16A, TO-264 ( TOP-3L ), TO–3PBL, 250V
Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
6.80fr
5-9
6.05fr
10-24
5.49fr
25-49
5.01fr
50+
4.45fr
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| Equivalenza disponibile | |
| Quantità in magazzino: 142 |
Transistor NPN MJL21193, 16A, TO-264 ( TOP-3L ), TO–3PBL, 250V. Corrente del collettore: 16A. Alloggiamento: TO-264 ( TOP-3L ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO–3PBL. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 250V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Costo): 500pF. Diodo BE: no. Diodo CE: no. FT: 4 MHz. Funzione: hFE=25 Min @ IC =8Adc. Guadagno hFE massimo: 75. Guadagno hFE minimo: 25. Ic(impulso): 30A. Materiale semiconduttore: silicio. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 200W. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) MJL21194. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.4V. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 400V. Vebo: 5V. Prodotto originale del produttore: ON Semiconductor. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 18:37
MJL21193
25 parametri
Corrente del collettore
16A
Alloggiamento
TO-264 ( TOP-3L )
Custodia (secondo scheda tecnica)
TO–3PBL
Voltaggio collettore/emettitore Vceo
250V
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
Costo)
500pF
Diodo BE
no
Diodo CE
no
FT
4 MHz
Funzione
hFE=25 Min @ IC =8Adc
Guadagno hFE massimo
75
Guadagno hFE minimo
25
Ic(impulso)
30A
Materiale semiconduttore
silicio
Numero di terminali
3
Pd (dissipazione di potenza, massima)
200W
Quantità per scatola
1
RoHS
sì
Spec info
transistor complementare (coppia) MJL21194
Temperatura di funzionamento
-65...+150°C
Tensione di saturazione VCE(sat)
1.4V
Tipo di transistor
PNP
Vcbo
400V
Vebo
5V
Prodotto originale del produttore
ON Semiconductor