US1M, 1A, 30A, SMA (4.6x2.8 mm), 1000V

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10-49

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US1M, 1A, 30A, SMA (4.6x2.8 mm), 1000V. Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 30A. Custodia (secondo scheda tecnica): SMA (4.6x2.8 mm). VRRM: 1000V. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Condizionamento: rotolo. Diodo Trr (min.): 75 ns. Equivalenti: US1M-13-F, US1M-E3/5AT, US1M-E3/61T, US1M-TP. Funzione: Ultrafast silicon rectifier diode. Materiale semiconduttore: silicio. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Spec info: IFSM--30Ap. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.7V. Tensione diretta Vf (min): 1.7V. Unità di condizionamento: 5000. Prodotto originale del produttore: Smc. Quantità minima: 10. Quantità in stock aggiornata il 12/11/2025, 20:52

Documentazione tecnica (PDF)

US1M

21 parametri

Corrente diretta (AV)

IFSM

30A

Custodia (secondo scheda tecnica)

SMA (4.6x2.8 mm)

VRRM

1000V

Assemblaggio/installazione

componente a montaggio superficiale (SMD)

Condizionamento

rotolo

Diodo Trr (min.)

75 ns

Equivalenti

US1M-13-F, US1M-E3/5AT, US1M-E3/61T, US1M-TP

Funzione

Ultrafast silicon rectifier diode

Materiale semiconduttore

silicio

Numero di terminali

Quantità per scatola

RoHS

sì

Spec info

IFSM--30Ap

Struttura dielettrica

Anodo-Catodo

Temperatura di funzionamento

-55...+150°C

Tensione di soglia Vf (max)

1.7V

Tensione diretta Vf (min)

1.7V

Unità di condizionamento

5000

Prodotto originale del produttore

Smc

Quantità minima