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Vishay

Vishay SI2319CDS-T1-GE3 P-Channel MOSFET 40V 3.1A SOT-23

Riferimento prodotto : SI2319CDS-T1-GE3
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Specifiche tecniche

5 parametri
ParametroValore
Tensione Vdss massima40V
Corrente Id massima3.1A
Resistenza Rds-on0.077Ohm
Parametro (Package)SOT-23

Descrizione tecnica del prodotto (SI2319CDS-T1-GE3):

Il SI2319CDS-T1-GE3 è un MOSFET a canale P ad alte prestazioni di Vishay in un contenitore SOT-23. Le applicazioni tipiche includono la gestione dell'energia, la commutazione del carico, la protezione della batteria e i convertitori DC-DC. Manufacturer info: SI2319CDS-T1-GE3 - 40V 3.1A 0.8W Rds=0.077Ohm SMD SOT-23 P-MOSFET - VISHAY.