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Vishay (siliconix)

Vishay (siliconix) SI2309CDS-T1-GE3 P-Channel MOSFET 60V 1.2A SOT-23

Riferimento prodotto : SI2309CDS-T1-GE3
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Specifiche tecniche

5 parametri
ParametroValore
Tensione Vdss massima60V
Corrente Id massima1.2A
Resistenza Rds-on0.34Ohm
Parametro (Package)SOT-23

Descrizione tecnica del prodotto (SI2309CDS-T1-GE3):

Il SI2309CDS-T1-GE3 è un MOSFET a canale P ad alte prestazioni di Vishay (siliconix) in un contenitore SOT-23. Le applicazioni tipiche includono la gestione dell'energia, la commutazione del carico, la protezione della batteria e i convertitori DC-DC. Manufacturer info: SI2309CDS-T1-GE3 - 60V 1.2A 1.0W Rds=0.34Ohm SMD SOT-23 P-MOSFET - VISHAY.