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Yangjie Electronic Technology
Yangjie Electronic Technology YJB110G10B MOSFET di Potenza Canale N 100V 110A Rds(on) 0.0052 Ohm TO-
Riferimento prodotto : YJB110G10B
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| Quantità | Prezzo unitario | Salva |
|---|---|---|
| 1 – 4 | 1.83 fr | — |
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| 100 – 799 | 1.22 fr | -33% |
| 800+Miglior prezzo | 1.22 fr | -33% |
Specifiche tecniche
6 parametri| Parametro | Valore |
| Tipo | MOSFET |
| Tensione | 100 V |
| Corrente | 110.0 A |
| Contenitore | TO-263 |
| Resistenza (RDSon) | 0.0052 Ohm |
Descrizione tecnica del prodotto (YJB110G10B):
Il YJB110G10B è un MOSFET ad alte prestazioni prodotto da Yangjie Electronic Technology. Questo (YET) N-POWERFET presenta 100V, 110A e una Rds(on) di 0.0052 Ohm, incapsulato in un contenitore TO-263 (D2PAK). È adatto per la gestione dell'energia, convertitori DC-DC e applicazioni di azionamento motori.<br><br>