FET e MOSFET a canale N

1237 prodotti disponibili nella categoria FET e MOSFET a canale N, tutti di produttori originali, ad esempio Nxp, Anpec, Diodes Incorporated, Chipcad, Zetex, e altri 66 produttori

FDPF12N50NZ

Transistor a canale N FDPF12N50NZ, 6.9A, 11.5A, 10uA, 0.46 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V. ID (T=100°C): 6.9A. ID (T=25°C): 11.5A. Idss (massimo): 10uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.46 Ohms. Allogg...

3.01fr

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FDPF5N50T

Transistor a canale N FDPF5N50T, 3A, 5A, 10uA, 1.15 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V. ID (T=100°C): 3A. ID (T=25°C): 5A. Idss (massimo): 10uA. Rds sulla resistenza attiva: 1.15 Ohms. Alloggiamento: TO-...

1.98fr

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FDPF7N50U

Transistor a canale N FDPF7N50U, 3A, 5A, 250uA, 1.2 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V. ID (T=100°C): 3A. ID (T=25°C): 5A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 1.2 Ohms. Alloggiamento: TO-...

3.00fr

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FDS6670A

Transistor a canale N FDS6670A, SO8, 30 v. Alloggiamento: SO8. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: 30 v. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: ...

2.45fr

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FDS6690A

Transistor a canale N FDS6690A, 11A, 10uA, 9.8m Ohms, SO, SO-8, 30 v. ID (T=25°C): 11A. Idss (massimo): 10uA. Rds sulla resistenza attiva: 9.8m Ohms. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecni...

0.97fr

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FDS6900AS

Transistor a canale N FDS6900AS, SO, 8.2A, 8.2A, 30 v, SO-8, 30 v. Alloggiamento: SO. Custodia (standard JEDEC): -. ID (T=25°C): 8.2A. Idss (massimo): 8.2A. Tensione drain-source Uds [V]: 30 v. Custo...

1.86fr

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FDS6912

Transistor a canale N FDS6912, SO8, 30 v. Alloggiamento: SO8. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: 30 v. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0...

1.47fr

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FDS8884

Transistor a canale N FDS8884, SO, 30A, 8.5A, 250uA, 19m Ohms, SO-8, 30 v. Alloggiamento: SO. ID (T=100°C): 30A. ID (T=25°C): 8.5A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 19m Ohms. Cust...

0.52fr

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FDS9926A

Transistor a canale N FDS9926A, 5.4A, SO, SO-8. ID (T=100°C): 5.4A. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). ...

0.75fr

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FDV301N

Transistor a canale N FDV301N, SOT23, 25V, 25V. Alloggiamento: SOT23. Vdss (tensione dallo scarico alla sorgente): 25V. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: 25V. Assorbimento d...

0.14fr

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FDV303N

Transistor a canale N FDV303N, SOT-23, 25V. Alloggiamento: SOT-23. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: 25V. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A...

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FGA60N65SMD

Transistor a canale N FGA60N65SMD, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), 60A, TO-3PN, 650V. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Ic(T=100°C): 60A. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PN. Voltaggio collettor...

8.40fr

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FGB20N60SF

Transistor a canale N FGB20N60SF, 20A, D2PAK ( TO-263 ), D2-PAK, 600V. Ic(T=100°C): 20A. Alloggiamento: D2PAK ( TO-263 ). Custodia (secondo scheda tecnica): D2-PAK. Voltaggio collettore/emettitore Vc...

5.87fr

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FGH40N60SFDTU

Transistor a canale N FGH40N60SFDTU, TO-247, 40A, TO-247AB, 600V. Alloggiamento: TO-247. Ic(T=100°C): 40A. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AB. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Ass...

6.65fr

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FGH40N60SMDF

Transistor a canale N FGH40N60SMDF, 40A, TO-247, TO-247AB, 600V. Ic(T=100°C): 40A. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AB. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Asse...

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FGH40N60UFD

Transistor a canale N FGH40N60UFD, 40A, TO-247, TO-247AB, 600V. Ic(T=100°C): 40A. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AB. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Assem...

6.40fr

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FGH60N60SFD

Transistor a canale N FGH60N60SFD, 60A, TO-247, TO-247AB, 600V. Ic(T=100°C): 60A. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AB. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Assem...

15.64fr

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FGH60N60SFTU

Transistor a canale N FGH60N60SFTU, 60A, TO-247, TO-247AB, 600V. Ic(T=100°C): 60A. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AB. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Asse...

10.45fr

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FGH60N60SMD

Transistor a canale N FGH60N60SMD, TO-247, 60A, TO-247AB, 600V. Alloggiamento: TO-247. Ic(T=100°C): 60A. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AB. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Assem...

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FP25R12W2T4

Transistor a canale N FP25R12W2T4, 25A, altro, altro, 1200V. Ic(T=100°C): 25A. Alloggiamento: altro. Custodia (secondo scheda tecnica): altro. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 1200V. Assemblaggi...

71.49fr

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FQA10N80C

Transistor a canale N FQA10N80C, 6.32A, 10A, 100uA, 0.93 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 800V. ID (T=100°C): 6.32A. ID (T=25°C): 10A. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.93 Ohms....

4.38fr

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FQA11N90C

Transistor a canale N FQA11N90C, TO-3PN, 900V. Alloggiamento: TO-3PN. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: 900V. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Id...

8.34fr

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FQA11N90C_F109

Transistor a canale N FQA11N90C_F109, TO-3PN, 900V. Alloggiamento: TO-3PN. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: 900V. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm]...

8.34fr

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FQA11N90_F109

Transistor a canale N FQA11N90_F109, TO-3PN, 900V. Alloggiamento: TO-3PN. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: 900V. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] ...

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