FET e MOSFET a canale N

1237 prodotti disponibili nella categoria FET e MOSFET a canale N, tutti di produttori originali, ad esempio ROHM, Infineon, Harris, Sanken, Agilent, e altri 66 produttori

FQA13N50CF

Transistor a canale N FQA13N50CF, 9.5A, 15A, 10uA, 0.43 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 500V. ID (T=100°C): 9.5A. ID (T=25°C): 15A. Idss (massimo): 10uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.43 Ohms...

4.22fr

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FQA13N80-F109

Transistor a canale N FQA13N80-F109, TO-3PN ( 2-16C1B ), 800V, 8A, 12.6A, 100uA, 0.58 Ohms, TO-3PN, 800V. Alloggiamento: TO-3PN ( 2-16C1B ). Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]...

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FQA19N60

Transistor a canale N FQA19N60, 11.7A, 18.5A, 100uA, 0.3 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 600V. ID (T=100°C): 11.7A. ID (T=25°C): 18.5A. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.3 Ohms...

5.64fr

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FQA24N50

Transistor a canale N FQA24N50, 12.5A, 24A, 10uA, 0.156 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 500V. ID (T=100°C): 12.5A. ID (T=25°C): 24A. Idss (massimo): 10uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.156 Ohms. ...

8.47fr

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FQA24N60

Transistor a canale N FQA24N60, 14.9A, 23.5A, 100uA, 0.18 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 600V. ID (T=100°C): 14.9A. ID (T=25°C): 23.5A. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.18 Oh...

7.70fr

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FQA28N15

Transistor a canale N FQA28N15, 23.3A, 33A, 10uA, 0.067 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 150V. ID (T=100°C): 23.3A. ID (T=25°C): 33A. Idss (massimo): 10uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.067 Ohms. ...

3.53fr

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FQA62N25C

Transistor a canale N FQA62N25C, 39A, 62A, 100uA, 0.029 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 250V. ID (T=100°C): 39A. ID (T=25°C): 62A. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.029 Ohms. A...

6.46fr

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FQA70N10

Transistor a canale N FQA70N10, 49.5A, 70A, 10uA, 0.019 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 100V. ID (T=100°C): 49.5A. ID (T=25°C): 70A. Idss (massimo): 10uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.019 Ohms. ...

3.20fr

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FQA9N90C-F109

Transistor a canale N FQA9N90C-F109, 5.7A, 9A, 100uA, 1.12 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 900V. ID (T=100°C): 5.7A. ID (T=25°C): 9A. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 1.12 Ohms....

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FQAF11N90C

Transistor a canale N FQAF11N90C, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), 900V, 4.4A, 7A, 100uA, 0.91 Ohms, TO-3PF, 900V. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source...

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FQD19N10L

Transistor a canale N FQD19N10L, 9.8A, 15.6A, 10uA, 0.074 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 100V. ID (T=100°C): 9.8A. ID (T=25°C): 15.6A. Idss (massimo): 10uA. Rds sulla...

1.35fr

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FQD30N06L

Transistor a canale N FQD30N06L, 15A, 24A, 10uA, 0.031 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V. ID (T=100°C): 15A. ID (T=25°C): 24A. Idss (massimo): 10uA. Rds sulla resist...

1.28fr

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FQD7N10L

Transistor a canale N FQD7N10L, 3.67A, 23.2A, 10uA, 0.258 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 100V. ID (T=100°C): 3.67A. ID (T=25°C): 23.2A. Idss (massimo): 10uA. Rds sull...

1.60fr

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FQP12N60C

Transistor a canale N FQP12N60C, TO-220, 600V, 7.4A, 12A, 10uA, 0.53 Ohms, TO-220, 600V. Alloggiamento: TO-220. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: 600V. ID (T=100°C): 7.4A. ...

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FQP13N10

Transistor a canale N FQP13N10, 9.05A, 12.8A, 10uA, 0.142 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. ID (T=100°C): 9.05A. ID (T=25°C): 12.8A. Idss (massimo): 10uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.142 Ohms. Allogg...

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FQP13N50

Transistor a canale N FQP13N50, 7.9A, 12.5A, 10uA, 0.33 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V. ID (T=100°C): 7.9A. ID (T=25°C): 12.5A. Idss (massimo): 10uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.33 Ohms. Alloggiame...

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FQP13N50C

Transistor a canale N FQP13N50C, 8A, 13A, 10uA, 0.39 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V. ID (T=100°C): 8A. ID (T=25°C): 13A. Idss (massimo): 10uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.39 Ohms. Alloggiamento: TO...

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FQP19N10

Transistor a canale N FQP19N10, 13.5A, 19A, 10uA, 0.078 Ohms, TO-220, TO-220, 100V. ID (T=100°C): 13.5A. ID (T=25°C): 19A. Idss (massimo): 10uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.078 Ohms. Alloggiament...

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FQP19N20C

Transistor a canale N FQP19N20C, 12.1A, 19A, 19A, 0.14 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V. ID (T=100°C): 12.1A. ID (T=25°C): 19A. Idss (massimo): 19A. Rds sulla resistenza attiva: 0.14 Ohms. Alloggiamento...

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FQP33N10

Transistor a canale N FQP33N10, 23A, 33A, 10uA, 0.04 Ohms, TO-220, TO-220, 100V. ID (T=100°C): 23A. ID (T=25°C): 33A. Idss (massimo): 10uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.04 Ohms. Alloggiamento: TO-...

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FQP44N10

Transistor a canale N FQP44N10, 30.8A, 43.5A, 10uA, 0.03 Ohms, TO-220, TO-220, 100V. ID (T=100°C): 30.8A. ID (T=25°C): 43.5A. Idss (massimo): 10uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.03 Ohms. Alloggiame...

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FQP46N15

Transistor a canale N FQP46N15, 32.2A, 45.6A, 10uA, 0.033 Ohms, TO-220, TO-220, 150V. ID (T=100°C): 32.2A. ID (T=25°C): 45.6A. Idss (massimo): 10uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.033 Ohms. Alloggia...

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FQP50N06

Transistor a canale N FQP50N06, TO-220, 60V, 35.4A, 50A, 10uA, 0.018 Ohms, TO-220, 60V. Alloggiamento: TO-220. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: 60V. ID (T=100°C): 35.4A. I...

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FQP50N06L

Transistor a canale N FQP50N06L, TO-220, 60V, 37.1A, 52.4A, 10uA, 0.017 Ohms, TO-220, 60V. Alloggiamento: TO-220. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: 60V. ID (T=100°C): 37.1A...

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