FET e MOSFET a canale N

1237 prodotti disponibili nella categoria FET e MOSFET a canale N, tutti di produttori originali, ad esempio Stmicroelectronics, International Rectifier, Gtm Corporatoin, Mitsubishi Electric Semiconductor, Cfcomp, e altri 66 produttori

FQP5N60C

Transistor a canale N FQP5N60C, 2.6A, 4.5A, 10uA, 2 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. ID (T=100°C): 2.6A. ID (T=25°C): 4.5A. Idss (massimo): 10uA. Rds sulla resistenza attiva: 2 Ohms. Alloggiamento: TO-22...

2.08fr

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FQP7N80

Transistor a canale N FQP7N80, 4.2A, 6.6A, 100uA, 1.2 Ohms, TO-220, TO-220, 800V. ID (T=100°C): 4.2A. ID (T=25°C): 6.6A. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 1.2 Ohms. Alloggiamento: ...

3.77fr

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FQP7N80C

Transistor a canale N FQP7N80C, 4.2A, 6.6A, 100uA, 1.57 Ohms, TO-220, TO-220, 800V. ID (T=100°C): 4.2A. ID (T=25°C): 6.6A. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 1.57 Ohms. Alloggiament...

2.06fr

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FQP85N06

Transistor a canale N FQP85N06, 60A, 85A, 10uA, 0.008 Ohms, TO-220, TO-220, 60V. ID (T=100°C): 60A. ID (T=25°C): 85A. Idss (massimo): 10uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.008 Ohms. Alloggiamento: TO...

2.93fr

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FQP9N90C

Transistor a canale N FQP9N90C, 2.8A, 8A, 8A, 1.12 Ohms, TO-220, TO-220, 900V. ID (T=100°C): 2.8A. ID (T=25°C): 8A. Idss (massimo): 8A. Rds sulla resistenza attiva: 1.12 Ohms. Alloggiamento: TO-220....

4.79fr

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FQPF10N20C

Transistor a canale N FQPF10N20C, 6A, 9.5A, 9.5A, 0.36 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 200V. ID (T=100°C): 6A. ID (T=25°C): 9.5A. Idss (massimo): 9.5A. Rds sulla resistenza attiva: 0.36 Ohms. Alloggiamento...

1.22fr

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FQPF11N50CF

Transistor a canale N FQPF11N50CF, 7A, 11A, 100uA, 0.48 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 500V. ID (T=100°C): 7A. ID (T=25°C): 11A. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.48 Ohms. Alloggiamen...

2.97fr

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FQPF19N20

Transistor a canale N FQPF19N20, 7.5A, 11.8A, 10uA, 0.12 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 200V. ID (T=100°C): 7.5A. ID (T=25°C): 11.8A. Idss (massimo): 10uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.12 Ohms. Alloggia...

2.04fr

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FQPF19N20C

Transistor a canale N FQPF19N20C, 12.1A, 19A, 100uA, 0.14 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 200V. ID (T=100°C): 12.1A. ID (T=25°C): 19A. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.14 Ohms. Alloggi...

2.10fr

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FQPF20N06L

Transistor a canale N FQPF20N06L, 11.1A, 15.7A, 10uA, 0.042 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 60V. ID (T=100°C): 11.1A. ID (T=25°C): 15.7A. Idss (massimo): 10uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.042 Ohms. Allo...

1.53fr

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FQPF3N80C

Transistor a canale N FQPF3N80C, 1.9A, 3A, 100uA, 4 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 800V. ID (T=100°C): 1.9A. ID (T=25°C): 3A. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 4 Ohms. Alloggiamento: TO-...

1.63fr

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FQPF4N90C

Transistor a canale N FQPF4N90C, 2.3A, 4A, 100uA, 3.5 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 900V. ID (T=100°C): 2.3A. ID (T=25°C): 4A. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 3.5 Ohms. Alloggiamento:...

1.67fr

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FQPF5N50C

Transistor a canale N FQPF5N50C, 2.9A, 5A, 10uA, 1.14 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V. ID (T=100°C): 2.9A. ID (T=25°C): 5A. Idss (massimo): 10uA. Rds sulla resistenza attiva: 1.14 Ohms. Alloggiamento:...

1.33fr

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FQPF5N60C

Transistor a canale N FQPF5N60C, 2.6A, 4.5A, 10uA, 2 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. ID (T=100°C): 2.6A. ID (T=25°C): 4.5A. Idss (massimo): 10uA. Rds sulla resistenza attiva: 2 Ohms. Alloggiamento: T...

1.08fr

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FQPF7N80C

Transistor a canale N FQPF7N80C, 4.2A, 6.6A, 100uA, 1.57 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 800V. ID (T=100°C): 4.2A. ID (T=25°C): 6.6A. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 1.57 Ohms. Alloggia...

4.24fr

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FQPF85N06

Transistor a canale N FQPF85N06, 37.5A, 53A, 10uA, 0.008 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 60V. ID (T=100°C): 37.5A. ID (T=25°C): 53A. Idss (massimo): 10uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.008 Ohms. Alloggiam...

2.61fr

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FQPF8N60C

Transistor a canale N FQPF8N60C, TO-220FP, 600V, 4.6A, 7.5A, 10uA, 1 Ohm, TO-220F, 600V. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: 600V. ID (T=100°C): 4.6A...

1.85fr

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FQPF8N80C

Transistor a canale N FQPF8N80C, 5.1A, 8A, 100uA, 1.29 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 800V. ID (T=100°C): 5.1A. ID (T=25°C): 8A. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 1.29 Ohms. Alloggiament...

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FQPF9N50CF

Transistor a canale N FQPF9N50CF, 5.4A, 9A, 100uA, 0.7 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V. ID (T=100°C): 5.4A. ID (T=25°C): 9A. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.7 Ohms. Alloggiamento...

2.01fr

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FQPF9N90C

Transistor a canale N FQPF9N90C, 2.8A, 8A, 10uA, 1.12 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 900V. ID (T=100°C): 2.8A. ID (T=25°C): 8A. Idss (massimo): 10uA. Rds sulla resistenza attiva: 1.12 Ohms. Alloggiamento:...

3.08fr

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FQT1N60CTF

Transistor a canale N FQT1N60CTF, 250uA, 9.3 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 600V. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 9.3 Ohms. Alloggiamento: SOT-223 ( TO-226 ). Custodia (secondo...

2.28fr

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FQT4N20LTF

Transistor a canale N FQT4N20LTF, 0.55A, 0.85A, 10uA, 1.1 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 200V. ID (T=100°C): 0.55A. ID (T=25°C): 0.85A. Idss (massimo): 10uA. Rds sulla resistenza attiva: 1.1 Ohm...

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FQU20N06L

Transistor a canale N FQU20N06L, 10.9A, 17.2A, 10uA, 0.046 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 60V. ID (T=100°C): 10.9A. ID (T=25°C): 17.2A. Idss (massimo): 10uA. Rds sulla resistenza attiva...

0.75fr

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FS10KM-12

Transistor a canale N FS10KM-12, 5A, 10A, 1mA, 0.72 Ohms, TO-220FP, TO-220FN, 600V. ID (T=100°C): 5A. ID (T=25°C): 10A. Idss (massimo): 1mA. Rds sulla resistenza attiva: 0.72 Ohms. Alloggiamento: TO...

1.92fr

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