FET e MOSFET a canale N - RPtronics. Pagina 34 di 52

IRL2203NPBF

Transistor a canale N IRL2203NPBF, TO-220AB, 30 v. Alloggiamento: TO-220AB. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: 30 v. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm...

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IRL2203NSPBF

Transistor a canale N IRL2203NSPBF, D²-PAK, TO-263, 30 v. Alloggiamento: D²-PAK. Custodia (standard JEDEC): TO-263. Tensione drain-source Uds [V]: 30 v. Assorbimento di corrente attraverso il resist...

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IRL2203NSTRLPBF

Transistor a canale N IRL2203NSTRLPBF, D²-PAK, TO-263, 30 v. Alloggiamento: D²-PAK. Custodia (standard JEDEC): TO-263. Tensione drain-source Uds [V]: 30 v. Assorbimento di corrente attraverso il res...

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IRL2505

Transistor a canale N IRL2505, 74A, 104A, 104A, 0.008 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. ID (T=100°C): 74A. ID (T=25°C): 104A. Idss (massimo): 104A. Rds sulla resistenza attiva: 0.008 Ohms. Alloggiamento:...

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IRL2505STRLPBF

Transistor a canale N IRL2505STRLPBF, D²-PAK, TO-263, 55V. Alloggiamento: D²-PAK. Custodia (standard JEDEC): TO-263. Tensione drain-source Uds [V]: 55V. Assorbimento di corrente attraverso il resist...

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IRL2910

Transistor a canale N IRL2910, 39A, 55A, 250uA, 0.026 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. ID (T=100°C): 39A. ID (T=25°C): 55A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.026 Ohms. Alloggiamento...

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IRL3502

Transistor a canale N IRL3502, TO-220AB, 20V. Alloggiamento: TO-220AB. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: 20V. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Id...

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IRL3502SPBF

Transistor a canale N IRL3502SPBF, D²-PAK, TO-263, 20V. Alloggiamento: D²-PAK. Custodia (standard JEDEC): TO-263. Tensione drain-source Uds [V]: 20V. Assorbimento di corrente attraverso il resistore...

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IRL3705N

Transistor a canale N IRL3705N, TO-220, 63A, 89A, 250uA, 0.01 Ohms, TO-220AB, 55V. Alloggiamento: TO-220. ID (T=100°C): 63A. ID (T=25°C): 89A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.0...

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IRL3705NPBF

Transistor a canale N IRL3705NPBF, TO-220AB, 55V. Alloggiamento: TO-220AB. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: 55V. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] ...

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IRL3705ZS

Transistor a canale N IRL3705ZS, D2PAK. Alloggiamento: D2PAK. Assemblaggio/installazione: SMD. Carica: 40nC. DRUCE CORRENTE: 86A. Polarità: unipolari. Potenza: 130W. Resistenza termica abitativa: 1.1...

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IRL3713

Transistor a canale N IRL3713, 180A, 260A, 100uA, 0.003 Ohms, TO-220, TO-220AB, 30 v. ID (T=100°C): 180A. ID (T=25°C): 260A. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.003 Ohms. Alloggiam...

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IRL3713S

Transistor a canale N IRL3713S, 170A, 200A, 200A, 0.003 Ohms, 30 v. ID (T=100°C): 170A. ID (T=25°C): 200A. Idss (massimo): 200A. Rds sulla resistenza attiva: 0.003 Ohms. Voltaggio Vds(max): 30 v. Fu...

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IRL3713STRLPBF

Transistor a canale N IRL3713STRLPBF, D²-PAK, TO-263, 30 v. Alloggiamento: D²-PAK. Custodia (standard JEDEC): TO-263. Tensione drain-source Uds [V]: 30 v. Assorbimento di corrente attraverso il resi...

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IRL3803

Transistor a canale N IRL3803, 98A, 140A, 250uA, 0.006 Ohms, TO-220, TO-220AB, 30 v. ID (T=100°C): 98A. ID (T=25°C): 140A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.006 Ohms. Alloggiamen...

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IRL3803PBF

Transistor a canale N IRL3803PBF, TO-220AB, 30V, 0.006 Ohms, 30 v. Alloggiamento: TO-220AB. Tensione drain-source (Vds): 30V. Custodia (standard JEDEC): -. Rds sulla resistenza attiva: 0.006 Ohms. Ten...

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IRL3803S

Transistor a canale N IRL3803S, 83A, 60.4k Ohms, 250uA, 0.006 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 30 v. ID (T=100°C): 83A. ID (T=25°C): 60.4k Ohms. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza ...

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IRL3803SPBF

Transistor a canale N IRL3803SPBF, D²-PAK, TO-263, 30 v. Alloggiamento: D²-PAK. Custodia (standard JEDEC): TO-263. Tensione drain-source Uds [V]: 30 v. Assorbimento di corrente attraverso il resisto...

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IRL40SC228

Transistor a canale N IRL40SC228, D²-PAK/7, 40V. Alloggiamento: D²-PAK/7. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: 40V. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm]...

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IRL520N

Transistor a canale N IRL520N, 7.1A, 10A, 10A, 0.18 Ohms, 100V. ID (T=100°C): 7.1A. ID (T=25°C): 10A. Idss (massimo): 10A. Rds sulla resistenza attiva: 0.18 Ohms. Voltaggio Vds(max): 100V. Funzione:...

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IRL520NSPBF

Transistor a canale N IRL520NSPBF, D²-PAK, TO-263, 100V. Alloggiamento: D²-PAK. Custodia (standard JEDEC): TO-263. Tensione drain-source Uds [V]: 100V. Assorbimento di corrente attraverso il resisto...

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IRL530N

Transistor a canale N IRL530N, 12A, 17A, 250uA, 0.10 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. ID (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 17A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.10 Ohms. Alloggiamento: ...

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IRL530NPBF

Transistor a canale N IRL530NPBF, TO-220AB, 100V, 0.10 Ohms, 100V. Alloggiamento: TO-220AB. Tensione drain-source (Vds): 100V. Custodia (standard JEDEC): -. Rds sulla resistenza attiva: 0.10 Ohms. Ten...

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IRL530NSTRLPBF

Transistor a canale N IRL530NSTRLPBF, D²-PAK, TO-263, 100V. Alloggiamento: D²-PAK. Custodia (standard JEDEC): TO-263. Tensione drain-source Uds [V]: 100V. Assorbimento di corrente attraverso il resi...

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