FET e MOSFET a canale N

1237 prodotti disponibili nella categoria FET e MOSFET a canale N, tutti di produttori originali, ad esempio Fuji Electric, Infineon, Renesas Technology, Intersil, Shandong Jingdao Microelectronics, e altri 66 produttori

MMBFJ310LT1G

Transistor a canale N MMBFJ310LT1G, SOT-23, 25V, 60mA. Alloggiamento: SOT-23. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: 25V. Corrente di assorbimento Idss [A] @ Ug=0V: 60mA. Configu...

0.47fr

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MMF60R360PTH

Transistor a canale N MMF60R360PTH, 6.95A, 11A, 1uA, 0.32 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. ID (T=100°C): 6.95A. ID (T=25°C): 11A. Idss (massimo): 1uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.32 Ohms. Alloggiam...

3.81fr

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MMFTN138

Transistor a canale N MMFTN138, SOT-23, 50V, TO-236AB, 50V. Alloggiamento: SOT-23. Vdss (tensione dallo scarico alla sorgente): 50V. Custodia (standard JEDEC): TO-236AB. Tensione drain-source Uds [V]:...

0.13fr

+9000 velocemente
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MTP3055VL

Transistor a canale N MTP3055VL, 8A, 12A, 100uA, 0.10 Ohms, TO-220, TO-220AB, 60V. ID (T=100°C): 8A. ID (T=25°C): 12A. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.10 Ohms. Alloggiamento: T...

1.20fr

Quantità in magazzino: 16

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MTW45N10E

Transistor a canale N MTW45N10E, TO-247AE, 100V. Alloggiamento: TO-247AE. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: 100V. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] ...

3.43fr

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MTY100N10E

Transistor a canale N MTY100N10E, TO-264, 100V. Alloggiamento: TO-264. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: 100V. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ I...

14.72fr

Quantità in magazzino: 116

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NCE6005AS

Transistor a canale N NCE6005AS, SO8. Alloggiamento: SO8. : migliorato. Assemblaggio/installazione: SMD. Carica: 22nC. DRUCE CORRENTE: 5A. Polarità: unipolari. Potenza: 2W. RoHS: sì. Tensione di gat...

0.96fr

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NCE6020AK

Transistor a canale N NCE6020AK, TO252. Alloggiamento: TO252. : migliorato. Assemblaggio/installazione: SMD. Carica: 47nC. DRUCE CORRENTE: 20A. Polarità: unipolari. Potenza: 45W. Tensione di gate-sou...

0.78fr

Quantità in magazzino: 50

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NDB6030L

Transistor a canale N NDB6030L, 52A, 52A, 0.011 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 30 v. ID (T=25°C): 52A. Idss (massimo): 52A. Rds sulla resistenza attiva: 0.011 Ohms. Alloggiamento: D2PAK ( ...

1.29fr

Equivalenza disponibile
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NDP603AL

Transistor a canale N NDP603AL, 25A, 25A, 0.18 Ohms, TO-220, TO-220, 30 v. ID (T=25°C): 25A. Idss (massimo): 25A. Rds sulla resistenza attiva: 0.18 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo sche...

1.02fr

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NDP7060

Transistor a canale N NDP7060, 75A, 75A, 0.013 Ohms, TO-220, TO-220, 60V. ID (T=25°C): 75A. Idss (massimo): 75A. Rds sulla resistenza attiva: 0.013 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo sche...

3.47fr

Quantità in magazzino: 73

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NDS355AN

Transistor a canale N NDS355AN, SOT-23, 30 v. Alloggiamento: SOT-23. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: 30 v. Assemblaggio/installazione: SMD. Assorbimento di corrente attrav...

0.91fr

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NDS9956A

Transistor a canale N NDS9956A, SO, SO-8. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Funzione: Transistor MOSFET...

0.66fr

Prodotto obsoleto
Esaurito

NP82N055PUG

Transistor a canale N NP82N055PUG, 82A, 1uA, 4.1m Ohms, D2PAK ( TO-263 ), MP-25ZP, 55V. ID (T=25°C): 82A. Idss (massimo): 1uA. Rds sulla resistenza attiva: 4.1m Ohms. Alloggiamento: D2PAK ( TO-263 )....

3.03fr

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NTD20N06L

Transistor a canale N NTD20N06L, 10A, 20A, 10uA, 0.039 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V. ID (T=100°C): 10A. ID (T=25°C): 20A. Idss (massimo): 10uA. Rds sulla resist...

1.42fr

Equivalenza disponibile
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NTD20N06LT4G

Transistor a canale N NTD20N06LT4G, D-PAK, TO-252, 60V. Alloggiamento: D-PAK. Custodia (standard JEDEC): TO-252. Tensione drain-source Uds [V]: 60V. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rd...

1.62fr

Quantità in magazzino: 4622

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NTD3055-094T4G

Transistor a canale N NTD3055-094T4G, 12A, 12A, 0.084 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ) ( DPAK-5 ), 60V. ID (T=25°C): 12A. Idss (massimo): 12A. Rds sulla resistenza attiva...

0.84fr

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NTD3055-150T4G

Transistor a canale N NTD3055-150T4G, 9A, 9A, 0.122 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ) ( DPAK-5 ), 60V. ID (T=25°C): 9A. Idss (massimo): 9A. Rds sulla resistenza attiva: 0....

0.71fr

Quantità in magazzino: 42

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NTD3055L104-1G

Transistor a canale N NTD3055L104-1G, 12A, 12A, 0.089 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251 ( I-Pak ), 60V. ID (T=25°C): 12A. Idss (massimo): 12A. Rds sulla resistenza attiva: 0.089 Ohms. Alloggiamento: TO-...

0.70fr

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NTD3055L104G

Transistor a canale N NTD3055L104G, D-PAK ( TO-252 ), TO-252, 60V, 12A, 10uA, 0.089 Ohms, TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ) ( DPAK-5 ), 60V. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (standard JED...

0.88fr

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NTD3055L104T4G

Transistor a canale N NTD3055L104T4G, D-PAK, TO-252, 60V. Alloggiamento: D-PAK. Custodia (standard JEDEC): TO-252. Tensione drain-source Uds [V]: 60V. Assorbimento di corrente attraverso il resistore ...

1.52fr

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NTD4804NT4G

Transistor a canale N NTD4804NT4G, 96A, 124A, 10uA, 3.4M Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v. ID (T=100°C): 96A. ID (T=25°C): 124A. Idss (massimo): 10uA. Rds sulla re...

1.52fr

Quantità in magazzino: 32

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NTGS3446

Transistor a canale N NTGS3446, 5.1A, 25uA, 0.036 Ohms, TSOP, TSOP-6, 20V. ID (T=25°C): 5.1A. Idss (massimo): 25uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.036 Ohms. Alloggiamento: TSOP. Custodia (secondo sch...

3.40fr

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Esaurito

NTHL020N090SC1

Transistor a canale N NTHL020N090SC1, 83A, 118A, 250uA, 0.02 Ohms, TO-247, TO-247-3L, CASE 340CX, 900V. ID (T=100°C): 83A. ID (T=25°C): 118A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.02...

42.54fr

Quantità in magazzino: 6

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