FET e MOSFET a canale N

1237 prodotti disponibili nella categoria FET e MOSFET a canale N, tutti di produttori originali, ad esempio Stmicroelectronics, Philips Semiconductors, Gtm Corporatoin, Samsung, Texas Instruments, e altri 66 produttori

NTMFS4744NT1G

Transistor a canale N NTMFS4744NT1G, 38A, 53A, 53A, 7.6m Ohms, SO, SO-8FL, 30 v. ID (T=100°C): 38A. ID (T=25°C): 53A. Idss (massimo): 53A. Rds sulla resistenza attiva: 7.6m Ohms. Alloggiamento: SO. ...

1.75fr

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NTMFS4833NT1G

Transistor a canale N NTMFS4833NT1G, 138A, 191A, 191A, 1.3M Ohms, SO, SO-8FL, 30 v. ID (T=100°C): 138A. ID (T=25°C): 191A. Idss (massimo): 191A. Rds sulla resistenza attiva: 1.3M Ohms. Alloggiamento...

2.26fr

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NTMFS4835NT1G

Transistor a canale N NTMFS4835NT1G, 75A, 104A, 104A, 2.9m Ohms, SO, SO-8FL, 30 v. ID (T=100°C): 75A. ID (T=25°C): 104A. Idss (massimo): 104A. Rds sulla resistenza attiva: 2.9m Ohms. Alloggiamento: ...

1.89fr

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NTMFS5C628NLT1G

Transistor a canale N NTMFS5C628NLT1G, DFN5. Alloggiamento: DFN5. DRUCE CORRENTE: 150A. Polarità: unipolari. Resistenza allo stato: 2M Ohms. RoHS: sì. Tensione drain-source: 60V. Tipo di transistor:...

1.92fr

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P2804BDG

Transistor a canale N P2804BDG, 8A, 10A, 1uA, 10A, 0.03 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( D-PAK ), 40V. ID (T=100°C): 8A. ID (T=25°C): 10A. Ids: 1uA. Idss (massimo): 10A. Rds sulla resistenza attiva:...

1.52fr

Quantità in magazzino: 779

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P30N03A

Transistor a canale N P30N03A, 30A, 0.1uA, 30A, 0.014 Ohms, TO-220, TO-220AB. ID (T=25°C): 30A. Ids: 0.1uA. Idss (massimo): 30A. Rds sulla resistenza attiva: 0.014 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custod...

4.56fr

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P50N03A-SMD

Transistor a canale N P50N03A-SMD, 50A, 50uA, 50A, 5.1M Ohms, TO-263 (D2PAK). ID (T=25°C): 50A. Ids: 50uA. Idss (massimo): 50A. Rds sulla resistenza attiva: 5.1M Ohms. Custodia (secondo scheda tecnic...

1.47fr

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P50N03LD

Transistor a canale N P50N03LD, 35A, 50A, 25uA, 50A, 15m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( D-PAK ), 20V. ID (T=100°C): 35A. ID (T=25°C): 50A. Ids: 25uA. Idss (massimo): 50A. Rds sulla resistenza atti...

1.12fr

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P75N02LD

Transistor a canale N P75N02LD, 50A, 75A, 25uA, 75A, 5M Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( D-PAK ), 20V. ID (T=100°C): 50A. ID (T=25°C): 75A. Ids: 25uA. Idss (massimo): 75A. Rds sulla resistenza attiv...

1.21fr

Quantità in magazzino: 363

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PHB45N03LT

Transistor a canale N PHB45N03LT, 30A, 45A, 10uA, 0.016 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), SOT-404, 25V. ID (T=100°C): 30A. ID (T=25°C): 45A. Idss (massimo): 10uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.016 Ohms. Allo...

2.07fr

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PHP45N03LT

Transistor a canale N PHP45N03LT, 45A, 45A, 0.016 Ohms, TO-220, TO-220, 25V. ID (T=25°C): 45A. Idss (massimo): 45A. Rds sulla resistenza attiva: 0.016 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo s...

2.03fr

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PHP9NQ20T

Transistor a canale N PHP9NQ20T, 6.2A, 8.7A, 8.7A, 0.4 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V. ID (T=100°C): 6.2A. ID (T=25°C): 8.7A. Idss (massimo): 8.7A. Rds sulla resistenza attiva: 0.4 Ohms. Alloggiamento...

3.51fr

Prodotto obsoleto
Esaurito
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PMV213SN

Transistor a canale N PMV213SN, SOT-23, TO-236AB, 100V. Alloggiamento: SOT-23. Custodia (standard JEDEC): TO-236AB. Tensione drain-source Uds [V]: 100V. Assorbimento di corrente attraverso il resistor...

0.56fr

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PSMN013-100BS-118

Transistor a canale N PSMN013-100BS-118, 47A, 68A, 100uA, 13.9m Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK (SOT404), 100V. ID (T=100°C): 47A. ID (T=25°C): 68A. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva:...

1.87fr

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PSMN015-100P

Transistor a canale N PSMN015-100P, 60.8A, 75A, 500uA, 12m Ohms, TO-220, TO-220AB ( SOT78 ), 100V. ID (T=100°C): 60.8A. ID (T=25°C): 75A. Idss (massimo): 500uA. Rds sulla resistenza attiva: 12m Ohms...

2.64fr

Quantità in magazzino: 12

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PSMN035-150P

Transistor a canale N PSMN035-150P, 36A, 50A, 500uA, 30 milliOhms, TO-220, TO-220AB ( SOT78 ), 150V. ID (T=100°C): 36A. ID (T=25°C): 50A. Idss (massimo): 500uA. Rds sulla resistenza attiva: 30 milli...

3.16fr

Prodotto obsoleto
Esaurito

Q67040-S4624

Transistor a canale N Q67040-S4624, 4.6A, 7.3A, 100uA, 0.54 Ohms, TO-220, TO-220, 650V. ID (T=100°C): 4.6A. ID (T=25°C): 7.3A. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.54 Ohms. Alloggia...

3.99fr

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Q67042-S4113

Transistor a canale N Q67042-S4113, 80A, 100uA, 5M Ohms, TO-220, TO-220, 30 v. ID (T=25°C): 80A. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 5M Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo ...

5.54fr

Equivalenza disponibile
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RFD14N05L

Transistor a canale N RFD14N05L, TO-251AA, 50V. Alloggiamento: TO-251AA. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: 50V. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ ...

1.96fr

Quantità in magazzino: 102

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RFD14N05SM9A

Transistor a canale N RFD14N05SM9A, D-PAK, 50V. Alloggiamento: D-PAK. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: 50V. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids...

1.22fr

Quantità in magazzino: 2495

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RFD3055LESM

Transistor a canale N RFD3055LESM, 12A, 1uA, 12A, 0.15 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( D-PAK ), 60V. ID (T=25°C): 12A. Ids: 1uA. Idss (massimo): 12A. Rds sulla resistenza attiva: 0.15 Ohms. Alloggia...

1.22fr

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RFP12N10L

Transistor a canale N RFP12N10L, 10A, 12A, 50uA, 0.20 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. ID (T=100°C): 10A. ID (T=25°C): 12A. Idss (massimo): 50uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.20 Ohms. Alloggiamento: ...

1.14fr

Quantità in magazzino: 65

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RFP3055

Transistor a canale N RFP3055, 12A, 12A, 0.15 Ohms, TO-220, TO-220AB, 60V. ID (T=25°C): 12A. Idss (massimo): 12A. Rds sulla resistenza attiva: 0.15 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo sche...

1.03fr

Quantità in magazzino: 63

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RFP3055LE

Transistor a canale N RFP3055LE, TO-220AB, 60V. Alloggiamento: TO-220AB. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: 60V. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ ...

1.47fr

Quantità in magazzino: 324

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