Transistor FET e MOSFET

248 prodotti disponibili nella categoria Transistor FET e MOSFET, tutti di produttori originali, ad esempio Panasonic, Vishay (siliconix), Infineon (irf), Hitachi, Sgs Thomson, e altri 42 produttori

Tensione massima Vds

-12V (6)-20V (13)-25V (1)-30V (23)-40V (1)-45V (2)-50V (4)-55V (3)-60V (1)-100V (8)-160V (1)-200V (4)-240V (1)-250V (1)20V (8)25V (2)30 v (29)30V (2)35V (2)40V (6)45V (1)50V (2)55V (11)60V (22)100V (16)150V (2)200V (19)250V (5)600V (1)630V (1)

Corrente massima (Id)

0.1A (1)0.1uA (1)0.7A (1)0.12A (1)0.23A (1)0.46A (1)0.56A (1)1.1A (2)1.5A (2)1.6A (1)1.8A (2)1A (1)1uA (12)2.3A (1)2.4A (1)2.45A (1)3.4A (1)3.5A (2)3.6A (1)3.7A (1)3A (3)4.1A (1)4.3A (3)4.4A (1)4.5A (1)4.6A (1)4.7A (1)4A (3)5.1A (1)5.3A (2)5.6A (1)5A (2)5mA (1)5nA (1)5uA (9)6.5A (1)6.6A (1)6.8A (2)6A (1)6mA (1)7.1A (1)7.3A (1)7A (1)8.7A (2)8.8A (7)8A (6)9.2A (1)9.4A (1)9A (1)9mA (1)10A (3)10mA (4)10nA (1)10uA (1)11.4A (1)11A (5)12.5A (1)12A (7)13A (2)14A (1)15A (2)15mA (1)16A (1)17A (1)18.7A (1)18A (2)19A (3)20A (1)20mA (1)21A (1)23A (2)24A (1)25mA (1)25uA (1)26A (1)27A (1)30A (1)31A (2)36A (1)38A (1)40A (2)46.4k Ohms (1)50uA (1)58A (1)60mA (1)70A (1)74A (1)80A (1)85A (1)90A (1)100nA (1)100uA (6)130mA (1)150uA (1)200A (1)200uA (1)250mA (1)250uA (21)500mA (1)500nA (1)500uA (17)

Custodia del transistor

D-PAK (10)D-PAK ( TO-252 ) (19)D-PAK ( TO-252AA ) (1)D-PAK TO-252AA (2)D2PAK (2)D2PAK ( TO-263 ) (5)DH-1 house, DIP-4 (5)DIP (5)DIP-4 (1)DIP4 (5)D²-PAK (9)HD-1 (2)HEXDIP (1)I-PAK (1)ISOPLUS247 (1)ISOPLUS247 ( TO-247 ) (1)ITO-220AB (1)MS-012 (5)PG-TO220-3 (1)SO (35)SO-8 (34)SO8 (27)SOP-8 (1)SOT-23 (25)SOT-23 ( TO-236 ) (12)SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ) (2)SOT-23 ( TO236 ) (7)SOT-23/6 (2)SOT-223 (8)SOT-223 ( TO-226 ) (2)SOT23 (9)SOT223 (1)SSOT (2)SSOT-3 ( SuperSOT-3 ) (1)SUPERSOT-6 (3)TO-3 (1)TO-3 ( TO-204 ) (2)TO-3 ( TO-204AA ) (1)TO-3P (1)TO-3P ( TO-218 SOT-93 ) (1)TO-18 (1)TO-18 ( TO-206 ) (1)TO-92 (6)TO-220 (22)TO-220AB (17)TO-220AB <.45/32nsec (1)TO-220F (4)TO-220FP (8)TO-236AB (4)TO-247 (5)TO-247AC (3)TO-251 ( I-Pak ) (5)TO-251AA ( I-PAK ) (3)TO-252 (10)TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) (1)TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ) (13)TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ) (4)TO-263 (9)TO-264 (2)TO-264 ( 2-21F1C ) (1)TO-264 ( TOP-3L ) (3)TO220, TO220AB (6)TO220AB (7)TO247 (1)TO247, TO247AC (1)TO251AA, IPAK (1)TO252 (1)TO252AA (1)TO252AA, DPAK (2)TSMT6 (1)TSOP (4)TSOP-6 (1)saldatura PCB (27)saldatura PCB (SMD) (74)

IRF9622

Transistor a canale P IRF9622, 3A, 3A, TO-220, TO-220AB, 200V. ID (T=25°C): 3A. Idss (massimo): 3A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 200V. Assem...

0.97fr

Quantità in magazzino: 38

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IRF9630

Transistor a canale P IRF9630, TO-220, 6.5A, 500uA, TO-220AB, 200V. Alloggiamento: TO-220. ID (T=25°C): 6.5A. Idss (massimo): 500uA. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 2...

1.15fr

Equivalenza disponibile
Quantità in magazzino: 157

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IRF9630PBF

Transistor a canale P IRF9630PBF, -200V, 6.5A, TO220AB. Tensione drain-source (Vds): -200V. Corrente di assorbimento massima: 6.5A. Alloggiamento: TO220AB. Caratteristiche: -. Id @ Tc=25°C (corrente ...

1.34fr

+80 velocemente
Quantità in magazzino: 81

Min.: 4

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IRF9630PBF-VIS

Transistor a canale P IRF9630PBF-VIS, TO-220AB, -200V. Alloggiamento: TO-220AB. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: -200V. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds...

1.64fr

Quantità in magazzino: 200

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IRF9640

Transistor a canale P IRF9640, TO-220, 11A, 500uA, TO-220AB, 200V. Alloggiamento: TO-220. ID (T=25°C): 11A. Idss (massimo): 500uA. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 200...

1.35fr

+2 velocemente
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IRF9640PBF

Transistor a canale P IRF9640PBF, TO220AB, -200V, 11A, -200V. Alloggiamento: TO220AB. Tensione drain-source (Vds): -200V. Corrente di assorbimento massima: 11A. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione ...

3.02fr

+138 velocemente
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IRF9640S

Transistor a canale P IRF9640S, D²-PAK, TO-263, -200V. Alloggiamento: D²-PAK. Custodia (standard JEDEC): TO-263. Tensione drain-source Uds [V]: -200V. Assorbimento di corrente attraverso il resistor...

0.89fr

Quantità in magazzino: 64

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IRF9953

Transistor a canale P IRF9953, SO8. Alloggiamento: SO8. Assemblaggio/installazione: SMD. Carica: 6.1nC. DRUCE CORRENTE: -2.3A. Polarità: unipolari. Potenza: 2W. Resistenza termica: 62.5K/W. RoHS: sì...

3.34fr

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IRF9953PBF

Transistor a canale P IRF9953PBF, SO8, -30V. Alloggiamento: SO8. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: -30V. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]...

0.61fr

Quantità in magazzino: 72

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IRF9Z24NPBF

Transistor a canale P IRF9Z24NPBF, 12A, 250uA, TO-220, TO-220AB, 55V. ID (T=25°C): 12A. Idss (massimo): 250uA. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): ...

0.90fr

Quantità in magazzino: 107

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IRF9Z34N

Transistor a canale P IRF9Z34N, TO-220, 19A, 250uA, TO-220AB, 55V. Alloggiamento: TO-220. ID (T=25°C): 19A. Idss (massimo): 250uA. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 55V...

0.78fr

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IRF9Z34NPBF

Transistor a canale P IRF9Z34NPBF, TO-220AB, -55V, 17A, -55V. Alloggiamento: TO-220AB. Tensione drain-source (Vds): -55V. Corrente di assorbimento massima: 17A. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione ...

1.29fr

+166 velocemente
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IRF9Z34NS

Transistor a canale P IRF9Z34NS, D2PAK ( TO-263 ), 19A, 250uA, D2PAK ( TO-263 ), 55V. Alloggiamento: D2PAK ( TO-263 ). ID (T=25°C): 19A. Idss (massimo): 250uA. Custodia (secondo scheda tecnica): D2PA...

1.15fr

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IRF9Z34NSPBF

Transistor a canale P IRF9Z34NSPBF, D²-PAK, TO-263, -55V. Alloggiamento: D²-PAK. Custodia (standard JEDEC): TO-263. Tensione drain-source Uds [V]: -55V. Assorbimento di corrente attraverso il resist...

1.23fr

Quantità in magazzino: 231

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IRFD9014

Transistor a canale P IRFD9014, 1.1A, 500uA, DIP, DH-1 house, DIP-4, 60V. ID (T=25°C): 1.1A. Idss (massimo): 500uA. Alloggiamento: DIP. Custodia (secondo scheda tecnica): DH-1 house, DIP-4. Voltaggio...

0.78fr

Quantità in magazzino: 154

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IRFD9014PBF

Transistor a canale P IRFD9014PBF, -60V, 1.1A, DIP-4. Tensione drain-source (Vds): -60V. Corrente di assorbimento massima: 1.1A. Alloggiamento: DIP-4. Rds sulla resistenza attiva: 0.50 Ohms. Tipo di c...

1.29fr

Quantità in magazzino: 35

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IRFD9024

Transistor a canale P IRFD9024, 1.8A, 500uA, DIP, DH-1 house, DIP-4, 60V. ID (T=25°C): 1.8A. Idss (massimo): 500uA. Alloggiamento: DIP. Custodia (secondo scheda tecnica): DH-1 house, DIP-4. Voltaggio...

0.95fr

Quantità in magazzino: 198

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IRFD9024PBF

Transistor a canale P IRFD9024PBF, DIP4, -60V. Alloggiamento: DIP4. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: -60V. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids ...

1.31fr

Quantità in magazzino: 67

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IRFD9110

Transistor a canale P IRFD9110, 0.7A, 500uA, DIP, DH-1 house, DIP-4, 100V. ID (T=25°C): 0.7A. Idss (massimo): 500uA. Alloggiamento: DIP. Custodia (secondo scheda tecnica): DH-1 house, DIP-4. Voltaggi...

0.80fr

Quantità in magazzino: 81

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IRFD9110PBF

Transistor a canale P IRFD9110PBF, HEXDIP, -100V, 0.7A, -100V. Alloggiamento: HEXDIP. Tensione drain-source (Vds): -100V. Corrente di assorbimento massima: 0.7A. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione...

0.74fr

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IRFD9120

Transistor a canale P IRFD9120, DIP, 0.1A, 0.1A, DH-1 house, DIP-4, 100V. Alloggiamento: DIP. ID (T=25°C): 0.1A. Idss (massimo): 0.1A. Custodia (secondo scheda tecnica): DH-1 house, DIP-4. Voltaggio ...

0.96fr

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Prodotto obsoleto
Esaurito

IRFD9120PBF

Transistor a canale P IRFD9120PBF, DIP4, -100V. Alloggiamento: DIP4. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: -100V. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Id...

1.14fr

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IRFD9220

Transistor a canale P IRFD9220, DIP, 0.56A, 0.56A, DH-1 house, DIP-4, 200V. Alloggiamento: DIP. ID (T=25°C): 0.56A. Idss (massimo): 0.56A. Custodia (secondo scheda tecnica): DH-1 house, DIP-4. Voltag...

0.96fr

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IRFD9220PBF

Transistor a canale P IRFD9220PBF, HD-1, -200V. Alloggiamento: HD-1. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: -200V. Capacità del gate Ciss [pF]: 340pF. Configurazione: montaggio ...

1.98fr

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