Transistor FET e MOSFET

251 prodotti disponibili nella categoria Transistor FET e MOSFET, tutti di produttori originali, ad esempio Fairchild, Vishay, Alpha And Omega, Diodes Zetex, Magnatech, e altri 40 produttori

IRF9622

Transistor a canale P IRF9622, 3A, 3A, TO-220, TO-220AB, 200V. ID (T=25°C): 3A. Idss (massimo): 3A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 200V. Assem...

0.96fr

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IRF9630

Transistor a canale P IRF9630, TO-220, 6.5A, 500uA, TO-220AB, 200V. Alloggiamento: TO-220. ID (T=25°C): 6.5A. Idss (massimo): 500uA. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 2...

1.14fr

Equivalenza disponibile
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IRF9630PBF

Transistor a canale P IRF9630PBF, -200V, 6.5A, TO220AB. Tensione drain-source (Vds): -200V. Corrente di assorbimento massima: 6.5A. Alloggiamento: TO220AB. Caratteristiche: -. Id @ Tc=25°C (corrente ...

1.34fr

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Min.: 4

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IRF9630PBF-VIS

Transistor a canale P IRF9630PBF-VIS, TO-220AB, -200V. Alloggiamento: TO-220AB. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: -200V. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds...

1.62fr

Quantità in magazzino: 200

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IRF9640

Transistor a canale P IRF9640, TO-220, 11A, 500uA, TO-220AB, 200V. Alloggiamento: TO-220. ID (T=25°C): 11A. Idss (massimo): 500uA. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 200...

1.34fr

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IRF9640PBF

Transistor a canale P IRF9640PBF, TO220AB, -200V, 11A, -200V. Alloggiamento: TO220AB. Tensione drain-source (Vds): -200V. Corrente di assorbimento massima: 11A. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione ...

2.99fr

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IRF9640S

Transistor a canale P IRF9640S, D²-PAK, TO-263, -200V. Alloggiamento: D²-PAK. Custodia (standard JEDEC): TO-263. Tensione drain-source Uds [V]: -200V. Assorbimento di corrente attraverso il resistor...

0.88fr

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IRF9953

Transistor a canale P IRF9953, SO8. Alloggiamento: SO8. Assemblaggio/installazione: SMD. Carica: 6.1nC. DRUCE CORRENTE: -2.3A. Polarità: unipolari. Potenza: 2W. Resistenza termica: 62.5K/W. RoHS: sì...

3.31fr

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IRF9953PBF

Transistor a canale P IRF9953PBF, SO8, -30V. Alloggiamento: SO8. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: -30V. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]...

0.61fr

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IRF9Z24NPBF

Transistor a canale P IRF9Z24NPBF, 12A, 250uA, TO-220, TO-220AB, 55V. ID (T=25°C): 12A. Idss (massimo): 250uA. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): ...

0.89fr

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IRF9Z34N

Transistor a canale P IRF9Z34N, TO-220, 19A, 250uA, TO-220AB, 55V. Alloggiamento: TO-220. ID (T=25°C): 19A. Idss (massimo): 250uA. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 55V...

0.77fr

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IRF9Z34NPBF

Transistor a canale P IRF9Z34NPBF, TO-220AB, -55V, 17A, -55V. Alloggiamento: TO-220AB. Tensione drain-source (Vds): -55V. Corrente di assorbimento massima: 17A. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione ...

1.28fr

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IRF9Z34NS

Transistor a canale P IRF9Z34NS, D2PAK ( TO-263 ), 19A, 250uA, D2PAK ( TO-263 ), 55V. Alloggiamento: D2PAK ( TO-263 ). ID (T=25°C): 19A. Idss (massimo): 250uA. Custodia (secondo scheda tecnica): D2PA...

1.14fr

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IRF9Z34NSPBF

Transistor a canale P IRF9Z34NSPBF, D²-PAK, TO-263, -55V. Alloggiamento: D²-PAK. Custodia (standard JEDEC): TO-263. Tensione drain-source Uds [V]: -55V. Assorbimento di corrente attraverso il resist...

1.22fr

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IRFD9014

Transistor a canale P IRFD9014, 1.1A, 500uA, DIP, DH-1 house, DIP-4, 60V. ID (T=25°C): 1.1A. Idss (massimo): 500uA. Alloggiamento: DIP. Custodia (secondo scheda tecnica): DH-1 house, DIP-4. Voltaggio...

0.78fr

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IRFD9014PBF

Transistor a canale P IRFD9014PBF, -60V, 1.1A, DIP-4. Tensione drain-source (Vds): -60V. Corrente di assorbimento massima: 1.1A. Alloggiamento: DIP-4. Rds sulla resistenza attiva: 0.50 Ohms. Tipo di c...

1.28fr

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IRFD9024

Transistor a canale P IRFD9024, 1.8A, 500uA, DIP, DH-1 house, DIP-4, 60V. ID (T=25°C): 1.8A. Idss (massimo): 500uA. Alloggiamento: DIP. Custodia (secondo scheda tecnica): DH-1 house, DIP-4. Voltaggio...

0.94fr

Quantità in magazzino: 198

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IRFD9024PBF

Transistor a canale P IRFD9024PBF, DIP4, -60V. Alloggiamento: DIP4. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: -60V. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids ...

1.30fr

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IRFD9110

Transistor a canale P IRFD9110, 0.7A, 500uA, DIP, DH-1 house, DIP-4, 100V. ID (T=25°C): 0.7A. Idss (massimo): 500uA. Alloggiamento: DIP. Custodia (secondo scheda tecnica): DH-1 house, DIP-4. Voltaggi...

0.79fr

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IRFD9110PBF

Transistor a canale P IRFD9110PBF, HEXDIP, -100V, 0.7A, -100V. Alloggiamento: HEXDIP. Tensione drain-source (Vds): -100V. Corrente di assorbimento massima: 0.7A. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione...

0.73fr

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IRFD9120

Transistor a canale P IRFD9120, DIP, 0.1A, 0.1A, DH-1 house, DIP-4, 100V. Alloggiamento: DIP. ID (T=25°C): 0.1A. Idss (massimo): 0.1A. Custodia (secondo scheda tecnica): DH-1 house, DIP-4. Voltaggio ...

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Prodotto obsoleto
Esaurito

IRFD9120PBF

Transistor a canale P IRFD9120PBF, DIP4, -100V. Alloggiamento: DIP4. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: -100V. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Id...

1.12fr

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IRFD9220

Transistor a canale P IRFD9220, DIP, 0.56A, 0.56A, DH-1 house, DIP-4, 200V. Alloggiamento: DIP. ID (T=25°C): 0.56A. Idss (massimo): 0.56A. Custodia (secondo scheda tecnica): DH-1 house, DIP-4. Voltag...

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IRFD9220PBF

Transistor a canale P IRFD9220PBF, HD-1, -200V. Alloggiamento: HD-1. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: -200V. Capacità del gate Ciss [pF]: 340pF. Configurazione: montaggio ...

1.96fr

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