Transistor FET e MOSFET

251 prodotti disponibili nella categoria Transistor FET e MOSFET, tutti di produttori originali, ad esempio Alpha & Omega Semiconductors, Infineon, Alpha And Omega, Samsung, Nxp Semiconductors, e altri 40 produttori

IRF7342TRPBF

Transistor a canale P IRF7342TRPBF, SO8, -55V. Alloggiamento: SO8. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: -55V. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [...

1.96fr

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IRF7416

Transistor a canale P IRF7416, 10A, 25uA, SO, SO-8, 30 v. ID (T=25°C): 10A. Idss (massimo): 25uA. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Voltaggio Vds(max): 30 v. Assemblaggio/in...

0.90fr

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IRF7416PBF

Transistor a canale P IRF7416PBF, SO8, -30V. Alloggiamento: SO8. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: -30V. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]...

1.47fr

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IRF7424TRPBF

Transistor a canale P IRF7424TRPBF, SO8, -30V. Alloggiamento: SO8. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: -30V. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [...

1.71fr

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IRF7425TRPBF

Transistor a canale P IRF7425TRPBF, 15A, 25uA, SO, SO-8, 20V. ID (T=25°C): 15A. Idss (massimo): 25uA. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Voltaggio Vds(max): 20V. Assemblaggio...

1.43fr

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IRF9240

Transistor a canale P IRF9240, 11A, 25uA, 250uA, TO-3 ( TO-204 ), TO-3 ( TO-204AA ), 200V. ID (T=25°C): 11A. Ids: 25uA. Idss (massimo): 250uA. Alloggiamento: TO-3 ( TO-204 ). Custodia (secondo scheda...

17.22fr

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IRF9310

Transistor a canale P IRF9310, 20A, 150uA, SO, SO-8, 30 v. ID (T=25°C): 20A. Idss (massimo): 150uA. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Voltaggio Vds(max): 30 v. Assemblaggio/...

1.33fr

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IRF9510PBF

Transistor a canale P IRF9510PBF, TO-220, -100V, 4A, -100V, 4A, 500uA, TO-220AB, 100V. Alloggiamento: TO-220. Tensione drain-source (Vds): -100V. Corrente di assorbimento massima: 4A. Custodia (standa...

0.72fr

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IRF9520

Transistor a canale P IRF9520, 6.8A, 500uA, TO-220, TO-220AB, 100V. ID (T=25°C): 6.8A. Idss (massimo): 500uA. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 1...

1.00fr

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IRF9520N

Transistor a canale P IRF9520N, 6.8A, 250uA, TO-220, TO-220AB, 100V. ID (T=25°C): 6.8A. Idss (massimo): 250uA. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): ...

1.03fr

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IRF9520NPBF

Transistor a canale P IRF9520NPBF, TO-220AB, -100V, 6A, -100V. Alloggiamento: TO-220AB. Tensione drain-source (Vds): -100V. Corrente di assorbimento massima: 6A. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione...

1.71fr

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IRF9520NS-IR

Transistor a canale P IRF9520NS-IR, D²-PAK, TO-263, -100V. Alloggiamento: D²-PAK. Custodia (standard JEDEC): TO-263. Tensione drain-source Uds [V]: -100V. Assorbimento di corrente attraverso il resi...

0.60fr

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IRF9520PBF

Transistor a canale P IRF9520PBF, TO-220AB, -100V. Alloggiamento: TO-220AB. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: -100V. Assemblaggio/installazione: THT. Assorbimento di corrent...

1.47fr

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IRF9530

Transistor a canale P IRF9530, TO-220, 12A, 500uA, TO-220AB, 100V. Alloggiamento: TO-220. ID (T=25°C): 12A. Idss (massimo): 500uA. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 100...

1.11fr

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IRF9530N

Transistor a canale P IRF9530N, 14A, 250uA, TO-220, TO-220AB, 100V. ID (T=25°C): 14A. Idss (massimo): 250uA. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 10...

1.20fr

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IRF9530NPBF

Transistor a canale P IRF9530NPBF, TO220AB, -100V, 14A, -100V. Alloggiamento: TO220AB. Tensione drain-source (Vds): -100V. Corrente di assorbimento massima: 14A. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione...

1.79fr

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IRF9530NSTRLPBF

Transistor a canale P IRF9530NSTRLPBF, D2PAK. Alloggiamento: D2PAK. : migliorato. Assemblaggio/installazione: SMD. Confezione: bobina. DRUCE CORRENTE: -14A. Polarità: unipolari. Potenza: 3.8W. RoHS: ...

2.82fr

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IRF9540

Transistor a canale P IRF9540, 19A, 500uA, TO-220, TO-220AB, 100V. ID (T=25°C): 19A. Idss (massimo): 500uA. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 100...

1.37fr

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IRF9540N

Transistor a canale P IRF9540N, TO-220, 23A, 250uA, TO-220AB, 100V. Alloggiamento: TO-220. ID (T=25°C): 23A. Idss (massimo): 250uA. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 10...

1.35fr

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IRF9540NPBF

Transistor a canale P IRF9540NPBF, -100V, 23A, TO220AB. Tensione drain-source (Vds): -100V. Corrente di assorbimento massima: 23A. Alloggiamento: TO220AB. Caratteristiche: -. Id @ Tc=25°C (corrente d...

2.14fr

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IRF9540NPBF-IR

Transistor a canale P IRF9540NPBF-IR, TO-220AB, -100V. Alloggiamento: TO-220AB. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: -100V. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds...

2.04fr

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IRF9610

Transistor a canale P IRF9610, TO-220, 1.8A, 500uA, TO-220AB, 200V. Alloggiamento: TO-220. ID (T=25°C): 1.8A. Idss (massimo): 500uA. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 2...

0.90fr

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IRF9610PBF

Transistor a canale P IRF9610PBF, TO-220AB, -200V, 1.8A, -200V. Alloggiamento: TO-220AB. Tensione drain-source (Vds): -200V. Corrente di assorbimento massima: 1.8A. Custodia (standard JEDEC): -. Tensi...

1.08fr

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IRF9620

Transistor a canale P IRF9620, 3.5A, 500uA, TO-220, TO-220AB, 200V. ID (T=25°C): 3.5A. Idss (massimo): 500uA. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 2...

1.09fr

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