Transistor FET e MOSFET

248 prodotti disponibili nella categoria Transistor FET e MOSFET, tutti di produttori originali, ad esempio Fairchild, Niko-semi, Yangjie Electronic Technology, Sgs Thomson, Nxp Semiconductors, e altri 42 produttori

Tensione massima Vds

-12V (6)-20V (13)-25V (1)-30V (23)-40V (1)-45V (2)-50V (4)-55V (3)-60V (1)-100V (8)-160V (1)-200V (4)-240V (1)-250V (1)20V (8)25V (2)30 v (29)30V (2)35V (2)40V (6)45V (1)50V (2)55V (11)60V (22)100V (16)150V (2)200V (19)250V (5)600V (1)630V (1)

Corrente massima (Id)

0.1A (1)0.1uA (1)0.7A (1)0.12A (1)0.23A (1)0.46A (1)0.56A (1)1.1A (2)1.5A (2)1.6A (1)1.8A (2)1A (1)1uA (12)2.3A (1)2.4A (1)2.45A (1)3.4A (1)3.5A (2)3.6A (1)3.7A (1)3A (3)4.1A (1)4.3A (3)4.4A (1)4.5A (1)4.6A (1)4.7A (1)4A (3)5.1A (1)5.3A (2)5.6A (1)5A (2)5mA (1)5nA (1)5uA (9)6.5A (1)6.6A (1)6.8A (2)6A (1)6mA (1)7.1A (1)7.3A (1)7A (1)8.7A (2)8.8A (7)8A (6)9.2A (1)9.4A (1)9A (1)9mA (1)10A (3)10mA (4)10nA (1)10uA (1)11.4A (1)11A (5)12.5A (1)12A (7)13A (2)14A (1)15A (2)15mA (1)16A (1)17A (1)18.7A (1)18A (2)19A (3)20A (1)20mA (1)21A (1)23A (2)24A (1)25mA (1)25uA (1)26A (1)27A (1)30A (1)31A (2)36A (1)38A (1)40A (2)46.4k Ohms (1)50uA (1)58A (1)60mA (1)70A (1)74A (1)80A (1)85A (1)90A (1)100nA (1)100uA (6)130mA (1)150uA (1)200A (1)200uA (1)250mA (1)250uA (21)500mA (1)500nA (1)500uA (17)

Custodia del transistor

D-PAK (10)D-PAK ( TO-252 ) (19)D-PAK ( TO-252AA ) (1)D-PAK TO-252AA (2)D2PAK (2)D2PAK ( TO-263 ) (5)DH-1 house, DIP-4 (5)DIP (5)DIP-4 (1)DIP4 (5)D²-PAK (9)HD-1 (2)HEXDIP (1)I-PAK (1)ISOPLUS247 (1)ISOPLUS247 ( TO-247 ) (1)ITO-220AB (1)MS-012 (5)PG-TO220-3 (1)SO (35)SO-8 (34)SO8 (27)SOP-8 (1)SOT-23 (25)SOT-23 ( TO-236 ) (12)SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ) (2)SOT-23 ( TO236 ) (7)SOT-23/6 (2)SOT-223 (8)SOT-223 ( TO-226 ) (2)SOT23 (9)SOT223 (1)SSOT (2)SSOT-3 ( SuperSOT-3 ) (1)SUPERSOT-6 (3)TO-3 (1)TO-3 ( TO-204 ) (2)TO-3 ( TO-204AA ) (1)TO-3P (1)TO-3P ( TO-218 SOT-93 ) (1)TO-18 (1)TO-18 ( TO-206 ) (1)TO-92 (6)TO-220 (22)TO-220AB (17)TO-220AB <.45/32nsec (1)TO-220F (4)TO-220FP (8)TO-236AB (4)TO-247 (5)TO-247AC (3)TO-251 ( I-Pak ) (5)TO-251AA ( I-PAK ) (3)TO-252 (10)TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) (1)TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ) (13)TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ) (4)TO-263 (9)TO-264 (2)TO-264 ( 2-21F1C ) (1)TO-264 ( TOP-3L ) (3)TO220, TO220AB (6)TO220AB (7)TO247 (1)TO247, TO247AC (1)TO251AA, IPAK (1)TO252 (1)TO252AA (1)TO252AA, DPAK (2)TSMT6 (1)TSOP (4)TSOP-6 (1)saldatura PCB (27)saldatura PCB (SMD) (74)

IRF7342TRPBF

Transistor a canale P IRF7342TRPBF, SO8, -55V. Alloggiamento: SO8. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: -55V. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [...

1.98fr

Quantità in magazzino: 1000

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IRF7416

Transistor a canale P IRF7416, 10A, 25uA, SO, SO-8, 30 v. ID (T=25°C): 10A. Idss (massimo): 25uA. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Voltaggio Vds(max): 30 v. Assemblaggio/in...

0.91fr

Quantità in magazzino: 30

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IRF7416PBF

Transistor a canale P IRF7416PBF, SO8, -30V. Alloggiamento: SO8. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: -30V. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]...

1.48fr

Quantità in magazzino: 281

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IRF7424TRPBF

Transistor a canale P IRF7424TRPBF, SO8, -30V. Alloggiamento: SO8. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: -30V. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [...

1.73fr

Quantità in magazzino: 2553

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IRF7425TRPBF

Transistor a canale P IRF7425TRPBF, 15A, 25uA, SO, SO-8, 20V. ID (T=25°C): 15A. Idss (massimo): 25uA. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Voltaggio Vds(max): 20V. Assemblaggio...

1.44fr

Quantità in magazzino: 31

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IRF9240

Transistor a canale P IRF9240, 11A, 25uA, 250uA, TO-3 ( TO-204 ), TO-3 ( TO-204AA ), 200V. ID (T=25°C): 11A. Ids: 25uA. Idss (massimo): 250uA. Alloggiamento: TO-3 ( TO-204 ). Custodia (secondo scheda...

17.39fr

Quantità in magazzino: 25

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IRF9310

Transistor a canale P IRF9310, 20A, 150uA, SO, SO-8, 30 v. ID (T=25°C): 20A. Idss (massimo): 150uA. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Voltaggio Vds(max): 30 v. Assemblaggio/...

1.34fr

Quantità in magazzino: 55

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IRF9510PBF

Transistor a canale P IRF9510PBF, TO-220, -100V, 4A, -100V, 4A, 500uA, TO-220AB, 100V. Alloggiamento: TO-220. Tensione drain-source (Vds): -100V. Corrente di assorbimento massima: 4A. Custodia (standa...

0.73fr

+984 velocemente
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IRF9520

Transistor a canale P IRF9520, 6.8A, 500uA, TO-220, TO-220AB, 100V. ID (T=25°C): 6.8A. Idss (massimo): 500uA. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 1...

1.01fr

Equivalenza disponibile
Quantità in magazzino: 7

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IRF9520N

Transistor a canale P IRF9520N, 6.8A, 250uA, TO-220, TO-220AB, 100V. ID (T=25°C): 6.8A. Idss (massimo): 250uA. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): ...

1.04fr

Quantità in magazzino: 263

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IRF9520NPBF

Transistor a canale P IRF9520NPBF, TO-220AB, -100V, 6A, -100V. Alloggiamento: TO-220AB. Tensione drain-source (Vds): -100V. Corrente di assorbimento massima: 6A. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione...

1.73fr

+7 velocemente
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IRF9520NS-IR

Transistor a canale P IRF9520NS-IR, D²-PAK, TO-263, -100V. Alloggiamento: D²-PAK. Custodia (standard JEDEC): TO-263. Tensione drain-source Uds [V]: -100V. Assorbimento di corrente attraverso il resi...

0.60fr

Quantità in magazzino: 58

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IRF9520PBF

Transistor a canale P IRF9520PBF, TO-220AB, -100V. Alloggiamento: TO-220AB. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: -100V. Assemblaggio/installazione: THT. Assorbimento di corrent...

1.48fr

+15 velocemente
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IRF9530

Transistor a canale P IRF9530, TO-220, 12A, 500uA, TO-220AB, 100V. Alloggiamento: TO-220. ID (T=25°C): 12A. Idss (massimo): 500uA. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 100...

1.12fr

+25 velocemente
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Quantità in magazzino: 103

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IRF9530N

Transistor a canale P IRF9530N, 14A, 250uA, TO-220, TO-220AB, 100V. ID (T=25°C): 14A. Idss (massimo): 250uA. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 10...

1.21fr

Quantità in magazzino: 45

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IRF9530NPBF

Transistor a canale P IRF9530NPBF, TO220AB, -100V, 14A, -100V. Alloggiamento: TO220AB. Tensione drain-source (Vds): -100V. Corrente di assorbimento massima: 14A. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione...

1.81fr

+147 velocemente
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IRF9530NSTRLPBF

Transistor a canale P IRF9530NSTRLPBF, D2PAK. Alloggiamento: D2PAK. : migliorato. Assemblaggio/installazione: SMD. Confezione: bobina. DRUCE CORRENTE: -14A. Polarità: unipolari. Potenza: 3.8W. RoHS: ...

2.87fr

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IRF9540

Transistor a canale P IRF9540, 19A, 500uA, TO-220, TO-220AB, 100V. ID (T=25°C): 19A. Idss (massimo): 500uA. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 100...

1.38fr

Equivalenza disponibile
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IRF9540N

Transistor a canale P IRF9540N, TO-220, 23A, 250uA, TO-220AB, 100V. Alloggiamento: TO-220. ID (T=25°C): 23A. Idss (massimo): 250uA. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 10...

1.37fr

Quantità in magazzino: 174

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IRF9540NPBF

Transistor a canale P IRF9540NPBF, -100V, 23A, TO220AB. Tensione drain-source (Vds): -100V. Corrente di assorbimento massima: 23A. Alloggiamento: TO220AB. Caratteristiche: -. Id @ Tc=25°C (corrente d...

2.14fr

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Min.: 2

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IRF9540NPBF-IR

Transistor a canale P IRF9540NPBF-IR, TO-220AB, -100V. Alloggiamento: TO-220AB. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: -100V. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds...

2.06fr

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IRF9610

Transistor a canale P IRF9610, TO-220, 1.8A, 500uA, TO-220AB, 200V. Alloggiamento: TO-220. ID (T=25°C): 1.8A. Idss (massimo): 500uA. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 2...

0.91fr

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IRF9610PBF

Transistor a canale P IRF9610PBF, TO-220AB, -200V, 1.8A, -200V. Alloggiamento: TO-220AB. Tensione drain-source (Vds): -200V. Corrente di assorbimento massima: 1.8A. Custodia (standard JEDEC): -. Tensi...

1.09fr

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IRF9620

Transistor a canale P IRF9620, 3.5A, 500uA, TO-220, TO-220AB, 200V. ID (T=25°C): 3.5A. Idss (massimo): 500uA. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 2...

1.10fr

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