Transistor FET e MOSFET

248 prodotti disponibili nella categoria Transistor FET e MOSFET, tutti di produttori originali, ad esempio International Rectifier, Onsemi (fairchild), Infineon, Hitachi, Samsung, e altri 42 produttori

Tensione massima Vds

-12V (6)-20V (13)-25V (1)-30V (23)-40V (1)-45V (2)-50V (4)-55V (3)-60V (1)-100V (8)-160V (1)-200V (4)-240V (1)-250V (1)20V (8)25V (2)30 v (29)30V (2)35V (2)40V (6)45V (1)50V (2)55V (11)60V (22)100V (16)150V (2)200V (19)250V (5)600V (1)630V (1)

Corrente massima (Id)

0.1A (1)0.1uA (1)0.7A (1)0.12A (1)0.23A (1)0.46A (1)0.56A (1)1.1A (2)1.5A (2)1.6A (1)1.8A (2)1A (1)1uA (12)2.3A (1)2.4A (1)2.45A (1)3.4A (1)3.5A (2)3.6A (1)3.7A (1)3A (3)4.1A (1)4.3A (3)4.4A (1)4.5A (1)4.6A (1)4.7A (1)4A (3)5.1A (1)5.3A (2)5.6A (1)5A (2)5mA (1)5nA (1)5uA (9)6.5A (1)6.6A (1)6.8A (2)6A (1)6mA (1)7.1A (1)7.3A (1)7A (1)8.7A (2)8.8A (7)8A (6)9.2A (1)9.4A (1)9A (1)9mA (1)10A (3)10mA (4)10nA (1)10uA (1)11.4A (1)11A (5)12.5A (1)12A (7)13A (2)14A (1)15A (2)15mA (1)16A (1)17A (1)18.7A (1)18A (2)19A (3)20A (1)20mA (1)21A (1)23A (2)24A (1)25mA (1)25uA (1)26A (1)27A (1)30A (1)31A (2)36A (1)38A (1)40A (2)46.4k Ohms (1)50uA (1)58A (1)60mA (1)70A (1)74A (1)80A (1)85A (1)90A (1)100nA (1)100uA (6)130mA (1)150uA (1)200A (1)200uA (1)250mA (1)250uA (21)500mA (1)500nA (1)500uA (17)

Custodia del transistor

D-PAK (10)D-PAK ( TO-252 ) (19)D-PAK ( TO-252AA ) (1)D-PAK TO-252AA (2)D2PAK (2)D2PAK ( TO-263 ) (5)DH-1 house, DIP-4 (5)DIP (5)DIP-4 (1)DIP4 (5)D²-PAK (9)HD-1 (2)HEXDIP (1)I-PAK (1)ISOPLUS247 (1)ISOPLUS247 ( TO-247 ) (1)ITO-220AB (1)MS-012 (5)PG-TO220-3 (1)SO (35)SO-8 (34)SO8 (27)SOP-8 (1)SOT-23 (25)SOT-23 ( TO-236 ) (12)SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ) (2)SOT-23 ( TO236 ) (7)SOT-23/6 (2)SOT-223 (8)SOT-223 ( TO-226 ) (2)SOT23 (9)SOT223 (1)SSOT (2)SSOT-3 ( SuperSOT-3 ) (1)SUPERSOT-6 (3)TO-3 (1)TO-3 ( TO-204 ) (2)TO-3 ( TO-204AA ) (1)TO-3P (1)TO-3P ( TO-218 SOT-93 ) (1)TO-18 (1)TO-18 ( TO-206 ) (1)TO-92 (6)TO-220 (22)TO-220AB (17)TO-220AB <.45/32nsec (1)TO-220F (4)TO-220FP (8)TO-236AB (4)TO-247 (5)TO-247AC (3)TO-251 ( I-Pak ) (5)TO-251AA ( I-PAK ) (3)TO-252 (10)TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) (1)TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ) (13)TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ) (4)TO-263 (9)TO-264 (2)TO-264 ( 2-21F1C ) (1)TO-264 ( TOP-3L ) (3)TO220, TO220AB (6)TO220AB (7)TO247 (1)TO247, TO247AC (1)TO251AA, IPAK (1)TO252 (1)TO252AA (1)TO252AA, DPAK (2)TSMT6 (1)TSOP (4)TSOP-6 (1)saldatura PCB (27)saldatura PCB (SMD) (74)

IRF5210PBF

Transistor a canale P IRF5210PBF, -100V, 40A, TO-220AB. Tensione drain-source (Vds): -100V. Corrente di assorbimento massima: 40A. Alloggiamento: TO-220AB. Rds sulla resistenza attiva: 0.06 Ohms. Tipo...

3.42fr

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IRF5210S

Transistor a canale P IRF5210S, 38A, 250uA, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 100V. ID (T=25°C): 38A. Idss (massimo): 250uA. Alloggiamento: D2PAK ( TO-263 ). Custodia (secondo scheda tecnica): D2PA...

2.48fr

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IRF5210SPBF

Transistor a canale P IRF5210SPBF, D²-PAK, TO-263, -100V. Alloggiamento: D²-PAK. Custodia (standard JEDEC): TO-263. Tensione drain-source Uds [V]: -100V. Assorbimento di corrente attraverso il resis...

3.96fr

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IRF5305

Transistor a canale P IRF5305, TO-220, 31A, 250uA, TO-220AB, 55V. Alloggiamento: TO-220. ID (T=25°C): 31A. Idss (massimo): 250uA. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 55V....

1.19fr

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IRF5305PBF

Transistor a canale P IRF5305PBF, -55V, 31A, TO-220AB. Tensione drain-source (Vds): -55V. Corrente di assorbimento massima: 31A. Alloggiamento: TO-220AB. Potenza: 110W. Rds sulla resistenza attiva: 0....

1.66fr

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IRF5305SPBF

Transistor a canale P IRF5305SPBF, D²-PAK, TO-263, -55V. Alloggiamento: D²-PAK. Custodia (standard JEDEC): TO-263. Tensione drain-source Uds [V]: -55V. Assorbimento di corrente attraverso il resisto...

1.98fr

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IRF5305STRLPBF

Transistor a canale P IRF5305STRLPBF, D²-PAK, TO-263, -55V. Alloggiamento: D²-PAK. Custodia (standard JEDEC): TO-263. Tensione drain-source Uds [V]: -55V. Assorbimento di corrente attraverso il resi...

2.57fr

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IRF6215SPBF

Transistor a canale P IRF6215SPBF, 13A, 250uA, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 150V. ID (T=25°C): 13A. Idss (massimo): 250uA. Alloggiamento: D2PAK ( TO-263 ). Custodia (secondo scheda tecnica): D...

1.47fr

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IRF7104

Transistor a canale P IRF7104, SO, SO-8, -20V. Alloggiamento: SO. Custodia (standard JEDEC): -. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Tensione drain-source Uds [V]: -20V. Assemblaggio/installazione...

0.66fr

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IRF7204

Transistor a canale P IRF7204, SO8. Alloggiamento: SO8. Assemblaggio/installazione: SMD. Carica: 25nC. DRUCE CORRENTE: -5.3A. Polarità: unipolari. Potenza: 2.5W. Resistenza termica: 50K/W. RoHS: sì....

1.16fr

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IRF7204PBF

Transistor a canale P IRF7204PBF, SO8, -20V. Alloggiamento: SO8. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: -20V. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]...

0.99fr

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IRF7205PBF

Transistor a canale P IRF7205PBF, 4.6A, 5uA, SO, SO-8, 30 v. ID (T=25°C): 4.6A. Idss (massimo): 5uA. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Voltaggio Vds(max): 30 v. Assemblaggio...

0.59fr

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IRF7233

Transistor a canale P IRF7233, SO8, -12V. Alloggiamento: SO8. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: -12V. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0...

0.49fr

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IRF7233PBF

Transistor a canale P IRF7233PBF, SO8, -12V. Alloggiamento: SO8. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: -12V. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]...

0.99fr

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IRF7304

Transistor a canale P IRF7304, SO, SO-8. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Funzione: Transistor MOSFET ...

0.78fr

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IRF7304PBF

Transistor a canale P IRF7304PBF, SO8, -20V. Alloggiamento: SO8. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: -20V. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]...

0.62fr

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IRF7306TRPBF

Transistor a canale P IRF7306TRPBF, SO8, -30V. Alloggiamento: SO8. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: -30V. : migliorato. Assemblaggio/installazione: SMD. Assorbimento di cor...

1.86fr

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IRF7314

Transistor a canale P IRF7314, SO, SO-8. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Carica: 19nC. DRUCE CORRENTE...

0.75fr

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IRF7314PBF

Transistor a canale P IRF7314PBF, SO8, -20V. Alloggiamento: SO8. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: -20V. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]...

0.99fr

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IRF7316

Transistor a canale P IRF7316, SO, SO-8. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Funzione: IDM--30Ap. Numero ...

0.78fr

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IRF7316PBF

Transistor a canale P IRF7316PBF, SO8, -30V. Alloggiamento: SO8. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: -30V. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]...

1.48fr

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IRF7328

Transistor a canale P IRF7328, 8A, SO, SO-8, 30 v. ID (T=25°C): 8A. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Voltaggio Vds(max): 30 v. Assemblaggio/installazione: componente a mont...

1.14fr

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IRF7342

Transistor a canale P IRF7342, SO, SO-8. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Carica: 26nC. DRUCE CORRENTE...

1.02fr

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IRF7342PBF

Transistor a canale P IRF7342PBF, SO8, -55V. Alloggiamento: SO8. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: -55V. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]...

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