IRF5210PBF Transistor a canale P IRF5210PBF, -100V, 40A, TO-220AB. Tensione drain-source (Vds): -100V. Corrente di assorbimento massima: 40A. Alloggiamento: TO-220AB. Rds sulla resistenza attiva: 0.06 Ohms. Tipo... 3.42fr Quantità in magazzino: 6 Quantità per IRF5210PBF Aggiungi al carrello
IRF5210S Transistor a canale P IRF5210S, 38A, 250uA, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 100V. ID (T=25°C): 38A. Idss (massimo): 250uA. Alloggiamento: D2PAK ( TO-263 ). Custodia (secondo scheda tecnica): D2PA... 2.48fr Quantità in magazzino: 129 Quantità per IRF5210S Aggiungi al carrello
IRF5210SPBF Transistor a canale P IRF5210SPBF, D²-PAK, TO-263, -100V. Alloggiamento: D²-PAK. Custodia (standard JEDEC): TO-263. Tensione drain-source Uds [V]: -100V. Assorbimento di corrente attraverso il resis... 3.96fr Quantità in magazzino: 363 Quantità per IRF5210SPBF Aggiungi al carrello
IRF5305 Transistor a canale P IRF5305, TO-220, 31A, 250uA, TO-220AB, 55V. Alloggiamento: TO-220. ID (T=25°C): 31A. Idss (massimo): 250uA. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 55V.... 1.19fr +25 velocemente Quantità in magazzino: 46 Quantità per IRF5305 Aggiungi al carrello
IRF5305PBF Transistor a canale P IRF5305PBF, -55V, 31A, TO-220AB. Tensione drain-source (Vds): -55V. Corrente di assorbimento massima: 31A. Alloggiamento: TO-220AB. Potenza: 110W. Rds sulla resistenza attiva: 0.... 1.66fr Quantità in magazzino: 157 Quantità per IRF5305PBF Aggiungi al carrello
IRF5305SPBF Transistor a canale P IRF5305SPBF, D²-PAK, TO-263, -55V. Alloggiamento: D²-PAK. Custodia (standard JEDEC): TO-263. Tensione drain-source Uds [V]: -55V. Assorbimento di corrente attraverso il resisto... 1.98fr Quantità in magazzino: 55 Quantità per IRF5305SPBF Aggiungi al carrello
IRF5305STRLPBF Transistor a canale P IRF5305STRLPBF, D²-PAK, TO-263, -55V. Alloggiamento: D²-PAK. Custodia (standard JEDEC): TO-263. Tensione drain-source Uds [V]: -55V. Assorbimento di corrente attraverso il resi... 2.57fr +634 velocemente Quantità in magazzino: 750 Quantità per IRF5305STRLPBF Aggiungi al carrello
IRF6215SPBF Transistor a canale P IRF6215SPBF, 13A, 250uA, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 150V. ID (T=25°C): 13A. Idss (massimo): 250uA. Alloggiamento: D2PAK ( TO-263 ). Custodia (secondo scheda tecnica): D... 1.47fr Quantità in magazzino: 33 Quantità per IRF6215SPBF Aggiungi al carrello
IRF7104 Transistor a canale P IRF7104, SO, SO-8, -20V. Alloggiamento: SO. Custodia (standard JEDEC): -. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Tensione drain-source Uds [V]: -20V. Assemblaggio/installazione... 0.66fr Quantità in magazzino: 33 Quantità per IRF7104 Aggiungi al carrello
IRF7204 Transistor a canale P IRF7204, SO8. Alloggiamento: SO8. Assemblaggio/installazione: SMD. Carica: 25nC. DRUCE CORRENTE: -5.3A. Polarità: unipolari. Potenza: 2.5W. Resistenza termica: 50K/W. RoHS: sì.... 1.16fr Quantità in magazzino: 15 Quantità per IRF7204 Aggiungi al carrello
IRF7204PBF Transistor a canale P IRF7204PBF, SO8, -20V. Alloggiamento: SO8. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: -20V. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]... 0.99fr Quantità in magazzino: 11 Quantità per IRF7204PBF Aggiungi al carrello
IRF7205PBF Transistor a canale P IRF7205PBF, 4.6A, 5uA, SO, SO-8, 30 v. ID (T=25°C): 4.6A. Idss (massimo): 5uA. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Voltaggio Vds(max): 30 v. Assemblaggio... 0.59fr Quantità in magazzino: 707 Quantità per IRF7205PBF Aggiungi al carrello
IRF7233 Transistor a canale P IRF7233, SO8, -12V. Alloggiamento: SO8. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: -12V. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0... 0.49fr Quantità in magazzino: 10 Quantità per IRF7233 Aggiungi al carrello
IRF7233PBF Transistor a canale P IRF7233PBF, SO8, -12V. Alloggiamento: SO8. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: -12V. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]... 0.99fr Quantità in magazzino: 262 Quantità per IRF7233PBF Aggiungi al carrello
IRF7304 Transistor a canale P IRF7304, SO, SO-8. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Funzione: Transistor MOSFET ... 0.78fr Quantità in magazzino: 17 Quantità per IRF7304 Aggiungi al carrello
IRF7304PBF Transistor a canale P IRF7304PBF, SO8, -20V. Alloggiamento: SO8. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: -20V. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]... 0.62fr Quantità in magazzino: 9 Quantità per IRF7304PBF Aggiungi al carrello
IRF7306TRPBF Transistor a canale P IRF7306TRPBF, SO8, -30V. Alloggiamento: SO8. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: -30V. : migliorato. Assemblaggio/installazione: SMD. Assorbimento di cor... 1.86fr +25 velocemente Quantità in magazzino: 52 Quantità per IRF7306TRPBF Aggiungi al carrello
IRF7314 Transistor a canale P IRF7314, SO, SO-8. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Carica: 19nC. DRUCE CORRENTE... 0.75fr +3 velocemente Quantità in magazzino: 271 Quantità per IRF7314 Aggiungi al carrello
IRF7314PBF Transistor a canale P IRF7314PBF, SO8, -20V. Alloggiamento: SO8. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: -20V. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]... 0.99fr Quantità in magazzino: 242 Quantità per IRF7314PBF Aggiungi al carrello
IRF7316 Transistor a canale P IRF7316, SO, SO-8. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Funzione: IDM--30Ap. Numero ... 0.78fr Quantità in magazzino: 22 Quantità per IRF7316 Aggiungi al carrello
IRF7316PBF Transistor a canale P IRF7316PBF, SO8, -30V. Alloggiamento: SO8. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: -30V. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]... 1.48fr Quantità in magazzino: 267 Quantità per IRF7316PBF Aggiungi al carrello
IRF7328 Transistor a canale P IRF7328, 8A, SO, SO-8, 30 v. ID (T=25°C): 8A. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Voltaggio Vds(max): 30 v. Assemblaggio/installazione: componente a mont... 1.14fr Quantità in magazzino: 70 Quantità per IRF7328 Aggiungi al carrello
IRF7342 Transistor a canale P IRF7342, SO, SO-8. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Carica: 26nC. DRUCE CORRENTE... 1.02fr +1 velocemente Quantità in magazzino: 73 Quantità per IRF7342 Aggiungi al carrello
IRF7342PBF Transistor a canale P IRF7342PBF, SO8, -55V. Alloggiamento: SO8. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: -55V. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]... 1.48fr Quantità in magazzino: 4 Quantità per IRF7342PBF Aggiungi al carrello
